基于DSP实现的单相高效整流器

PWM整流器具有单位功率因数,谐波含量低,能量可逆传送等特点。介绍了单相全桥的高效整流器的电路拓扑结构和工作原理,针对单相电路直流侧二次纹波电压的特征,系统采用纹波电压补偿的方法;对于网侧电流的控制则采用了响应速度较高的定频滞环电流控制策略。给出了以TMS320F2407为控制芯片的系统硬件和软件实现过程,给出的实现思路对工程实际有一定的指导意义。

12/3相DWIG励磁系统电容电压的模糊-PI双模控制

12/3相双绕组感应发电机是为了实现适合于原动机高速运行特性而设计的一种特殊电机。系统在电机上增设了一个励磁绕组,使用静止励磁装置对电机进行励磁控制。文中对励磁装置的直流侧电容电压的控制原理和方法进行了详细讨论。给出了减小启动电流的方法。将模糊-PI双模控制应用于对有功电流的控制,用来对电容电压进行精确调整。当实际电容电压和设定的参考值误差较大时,使用模糊控制来提高系统的动态特性,当误差比较小时,使用PI控制来实现精确控制。给出了仿真和试验结果,证明这种方法可以实现电容电压的精确控制。动态试验结果表明,在突加和突卸负载时电容电压的变化非常小。

单相桥式半控整流带续流二极管电路的技术研究

首先介绍了单相桥式半控整流电路的工作原理,从理论分析中推断出其在阻感性负载情况下,电路会出现失控现象,为了解决这个问题,可以在负载两端并联一个续流二极管。最后通过仿真实验验证了理论分析的正确性。

功率器件主动热控制的PI参数优化方法

为了提高功率器件结温控制精度,提出了功率器件主动热控制的参数优化方法。基于功率器件主动热控制原理和热网络模型,构建比例-积分(PI)参数优化的目标函数。利用遗传算法对目标函数进行求解,获得最优PI参数。为了验证方法的有效性,以功率MOSFET构成单相全桥电路,以电流动态限幅为手段,在不同的电流限幅最大值、器件初始结温和环境温度等情况下,对功率器件进行了主动热控制仿真与实验。结果表明,该文PI参数优化方法能够提升功率器件结温控制准确性。

Cascode型GaN HEMT发展及其特性应用探讨

新能源并网技术的进步,对电力电子器件的性能提出了更高的要求。传统电力电子器件逐步逼近理论极限。宽禁带半导体氮化镓材料(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,有许多硅材料不具备的优异性能,在军事、民用等领域应用前景广阔。近年来,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)被相继推出,受到广泛的关注。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子领域已经应用。高压共源共栅(Cascode)型GaN HEMT,实现了在高压场合,可以应用GaN器件。本文对Cascode型GaN HEMT的全范围输出伏安特性进行研究,分析其工作模态及条件,以及在单相全桥逆变器电路中的应用。