Cascode型GaN HEMT发展及其特性应用探讨

新能源并网技术的进步,对电力电子器件的性能提出了更高的要求。传统电力电子器件逐步逼近理论极限。宽禁带半导体氮化镓材料(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,有许多硅材料不具备的优异性能,在军事、民用等领域应用前景广阔。近年来,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)被相继推出,受到广泛的关注。氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子领域已经应用。高压共源共栅(Cascode)型GaN HEMT,实现了在高压场合,可以应用GaN器件。本文对Cascode型GaN HEMT的全范围输出伏安特性进行研究,分析其工作模态及条件,以及在单相全桥逆变器电路中的应用。