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一种用单端口SRAM构成的FIFO的ASIC设计
被引量:
2
1
作者
余志强
戎蒙恬
袁丹寿
《计算机技术与发展》
2008年第9期159-161,共3页
提出了一种基于单端口SRAM的FIFO电路。此模块电路应用于视频图像处理芯片中,完成同步经过处理后产生相位差的亮度Y信号和色度U,V信号的功能。电路的逻辑控制部分用Verilog硬件描述语言作RTL描述设计,存储器电路用Memory Compiler编译...
提出了一种基于单端口SRAM的FIFO电路。此模块电路应用于视频图像处理芯片中,完成同步经过处理后产生相位差的亮度Y信号和色度U,V信号的功能。电路的逻辑控制部分用Verilog硬件描述语言作RTL描述设计,存储器电路用Memory Compiler编译生成的SRAM。利用NC-Sim作了仿真测试,实现了视频信号同步功能,在不增大存储器总容量的情况下完成了和用双端口SRAM构成的FIFO电路相同的功能。应用本电路的芯片已顺利完成了流片。
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关键词
FIFO
图像处理
像素
单端口sram
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职称材料
手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计
被引量:
11
2
作者
岳帮辉
魏廷存
樊晓桠
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期566-570,共5页
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单...
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。
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关键词
TFT—LCD驱动芯片
单端口sram
存储
单
元
预充电路
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职称材料
题名
一种用单端口SRAM构成的FIFO的ASIC设计
被引量:
2
1
作者
余志强
戎蒙恬
袁丹寿
机构
上海交通大学
出处
《计算机技术与发展》
2008年第9期159-161,共3页
文摘
提出了一种基于单端口SRAM的FIFO电路。此模块电路应用于视频图像处理芯片中,完成同步经过处理后产生相位差的亮度Y信号和色度U,V信号的功能。电路的逻辑控制部分用Verilog硬件描述语言作RTL描述设计,存储器电路用Memory Compiler编译生成的SRAM。利用NC-Sim作了仿真测试,实现了视频信号同步功能,在不增大存储器总容量的情况下完成了和用双端口SRAM构成的FIFO电路相同的功能。应用本电路的芯片已顺利完成了流片。
关键词
FIFO
图像处理
像素
单端口sram
Keywords
FIFO
image process
pixel
single port
sram
分类号
TP391.41 [自动化与计算机技术—计算机应用技术]
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职称材料
题名
手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计
被引量:
11
2
作者
岳帮辉
魏廷存
樊晓桠
机构
西北工业大学航空微电子中心
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期566-570,共5页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2005AA121193)
陕西省科学技术研究发展计划资助项目
文摘
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。
关键词
TFT—LCD驱动芯片
单端口sram
存储
单
元
预充电路
Keywords
TFT-LCD driver IC
single-port
sram
; bit cell
pre-charge circuit
分类号
TN27 [电子电信—物理电子学]
TN702 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种用单端口SRAM构成的FIFO的ASIC设计
余志强
戎蒙恬
袁丹寿
《计算机技术与发展》
2008
2
下载PDF
职称材料
2
手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计
岳帮辉
魏廷存
樊晓桠
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2006
11
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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