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单管卧式热壁型PECVD设备
1
作者
钟华
郑建宇
《电子工业专用设备》
2004年第4期23-25,50,共4页
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。
关键词
氮化硅薄膜
等离子增强化学气相淀积
工艺原理
单管卧式热壁型pecvd设备
射频
下载PDF
职称材料
题名
单管卧式热壁型PECVD设备
1
作者
钟华
郑建宇
机构
北京七星华创电子股份有限公司
出处
《电子工业专用设备》
2004年第4期23-25,50,共4页
文摘
介绍了一种用于氮化硅薄膜生长的等离子增强化学气相淀积设备,着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制。
关键词
氮化硅薄膜
等离子增强化学气相淀积
工艺原理
单管卧式热壁型pecvd设备
射频
Keywords
pecvd
RF
Uniformity
Productivity
Si3N4
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
单管卧式热壁型PECVD设备
钟华
郑建宇
《电子工业专用设备》
2004
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