期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
闪速存储器的单管多位技术
1
作者 李多力 欧文 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期241-245,共5页
 为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
关键词 闪速存储器 单管多位技术 多级单元 SONOS
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部