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闪速存储器的单管多位技术
1
作者
李多力
欧文
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期241-245,共5页
为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
关键词
闪速存储器
单管多位技术
多级单元
SONOS
下载PDF
职称材料
题名
闪速存储器的单管多位技术
1
作者
李多力
欧文
机构
中国科学院微电子中心
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期241-245,共5页
基金
国家重点基础研究专项经费资助项目(G20000365)
国家自然科学基金资助项目(60276023)
文摘
为了在现有条件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术。文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的单管多位技术。
关键词
闪速存储器
单管多位技术
多级单元
SONOS
Keywords
Flash memory
Multi-bit in one cell
Multi-level cell
SONOS
分类号
TN431.2 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
闪速存储器的单管多位技术
李多力
欧文
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
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