单结管振荡电路在单片机温控系统中的应用

介绍了单结晶体管弛张振荡电路在单片机温控系统触发电路中的应用。针对晶闸管过零触发电路中必须具有过零检测电路，致使结构复杂的缺点，提出了省去过零检测电路的单结管弛张振荡触发电路的原理，详述了主电路采用两只单向晶闸管反并联和触发电路采用单结管弛张振荡电路的硬件电路，以及温控系统采用PID调节和触发脉冲的通断时间采用单片机内部定时控制的软件结构，并提供了该软件的主程序、定时中断子程序和触发子程序框图。

关于改进单结管电路教材内容的探讨

在进行晶闸管电路的教学时，每每感到现行的一些教材中关于单结管的特性及张弛振荡工作原理的解释有许多令人困扰之处。由此引发了笔者的思考并进行了一些实验研究，取得了一些新的认识。本文就此提出来与同行探讨，以期在这个虽小但不失理论和实践重要性的问题上取得共识。

单结管触发电路的元件选择

在单相可控整流装置中,单结管触发电路得到了广泛的应用。本文较为详细的介绍了单结管触发电路中各元件的参数计算和选择,同时分析了各元件的作用,为实际设计、制作和使用单结管触发电路提供了帮助。

可调单结管及其应用

介绍可调单结晶体管的结构特性与电参数的可调性，叙述其在各种电路中的具体应用实例。

单结管电路中的随机共振过程

为考察二阶非线性电路响应中是否存在随机共振过程 ,用噪声信号和周期信号同时激励二阶非线性单结管电路 ,并观察其响应和测量输出响应信号的信噪比。结果表明 :在一定的条件下 ,增大输入噪声的值不仅不降低输出响应信噪比 ;反而迅速增加输出响应的信噪比 ,使输出响应中周期信号的分量反而加强 ,而且输出响应的信噪比对于输入噪声的变化具有“共振”形状的曲线。从而证明了二阶非线性单结管电路不仅是混沌系统 ,也是随机共振系统 。

单结管电路在周期激励下的临界动态研究

非线性系统在临界点附近存在有意义的动态行为，实验采用单结管作为非线性元件和周期信号作为扰动源；观察非线性元件的动态轨迹在临界点附近的动态。一旦变化控制参数使非线性元件的动态轨迹越过临界点后，电路能产生丰富的非线性模态。非线性元件的动态轨迹越过临界点后便产生随机跳跃曲线，这些随机跳跃曲线的形状可分为三类Ｃａｎａｒｄ极限环轨迹。在临界点附近，非线性元件的动态轨迹的负阻段有一个临界阈值区域，经过此区域的轨迹跳跃分离成不同类型和不同尺度的Ｃａｎａｒｄ曲线。

单晶Si、单结GaAs太阳能电池的激光损伤特性对比研究

采用1064 nm纳秒脉冲激光辐照单晶Si、单结G As太阳能电池,针对不同强度激光辐照太阳能电池的损伤特性进行了实验研究,得出激光光斑聚焦在电池栅线上时,电池更易损伤,单晶Si电池的栅线打断之后仍能很好工作,单结GaAs电池却完全失效,这是由于高掺杂的基底锗熔融凝固连接栅线,导通电池正负极.实验结果还表明,激光辐照在电池表面时,对单晶Si电池基本没有影响,而GaAs电池输出性能也没有很大幅度的下降.理论分析了纳秒激光对电池的损伤主要是热、力效应共同作用的结果.热效应使材料熔化、气化,力效应主要沿着激光传输的方向,垂直于材料表面.常温下Si材料对1 064 nm有较强的本征吸收,GaAs电池的GaAs层透过1 064 nm,Ge基底本征吸收1 064 nm,Ge材料的熔点低于Si材料且其禁带宽度更窄,故其初始损伤阈值略低.通过SEM扫描电镜、激光拉曼材料分析及X射线光电子能谱仪等分析手段对实验结果进行了验证.

单结GaAs太阳电池连续激光辐照热损伤机理

开展了单结GaAs太阳电池808 nm、10.6μm连续激光辐照实验研究,结果显示,相同激光耦合强度下两种激光对电池的损伤模式相似,且随着激光耦合强度逐渐提高,电池最大输出功率呈现"阶梯"状下降。通过对比辐照过程中温升速率、温度峰值以及高温持续时间对损伤结果的影响,结合能谱仪和扫描电子显微镜的测量结果以及方差分析结果对损伤机理进行了分析和验证。认为高温导致GaAs分解、电极氧化是单结GaAs太阳电池性能退化的主因。

硅基单结太阳能电池的制备技术、缺陷及其性能的研究

首先综述了硅基单结太阳能电池的分类、制备方法及进展,介绍了化学气相沉积法、液相外延法(LPPE)、金属诱导结晶法(MIC)、磁控溅射法以及分子束外延法等各种硅基太阳能电池的制备方法,阐述了各种制备工艺的优缺点。其次,总结了单晶硅、多晶硅以及非晶硅太阳能电池在组织结构、缺陷方面的研究现状。最后,对硅基太阳能电池的机械、电学、光学以及光电性能等方面的研究进展做了论述。

能量转换效率达10.2%的非晶硅单结太阳能电池

本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面的研究结果。电池采用的结构为Glass/SnO_2/Pin/Ag,其能量转换效率在1cm^2面积上达到10.2％(AM1.5,100mW/cm^2),在0.126cm^2面积上达到11.1％。

波段内外连续激光对单结GaAs太阳电池辐照效应研究

在激光耦合强度、辐照面积和辐照时间对应相同的条件下,对单结GaAs太阳电池分别开展了波段内808nm、波段外1 070nm连续激光单独辐照以及两者联合辐照实验,发现三种辐照方式对应的样品损伤程度十分接近。结合等效电路输出的I-V曲线随太阳电池参数的变化、电致发光图像及小光斑激光响应扫描测试结果对损伤机理进行了分析。结果表明:激光辐照导致太阳电池损伤的实质是PN结内缺陷增多。

小面积高效率非晶硅单结太阳能电池

本文报道我们在非晶硅单结太阳能电池方面进一步的研究成果.我们在透明SnO_2电极与 p a-SiC_π:H层之间增加了一层高掺杂的超薄接触层(CL),用 MIS背面隧道接触取代MS接触,使单结非晶硅电池的能量转换效率在1cm^2面积上达到11.19％(AM1.5,100mW/cm^1).

单结a-Si太阳电池稳定性的研究

本文报道了单结非晶硅太阳电池稳定性研究结果,对S-W效应在总衰退中所占的比重进行了分析,结合工艺提出了几项与改善电池稳定性有关的措施,最后对a-Si材料和电池稳定性的前景作了讨论。

单结晶体管振荡电路的Multisim14.0仿真及自制

通过对不同种类的单结晶体管的结构和工作原理的阐述,以及自制电路的仿真和实际波形分析研究,比较详尽的论述了单结晶体管自激振荡电路设计制作和使用中应注意的事项,真实电路的制作测试考验个人的综合素养和创新能力,有利于对所学知识的深入理解和认知的升华。

非晶硅锗单结电池的研究

ｐ／ｉ和ｉ／ｎ界面对ａＳｉＧｅ单结电池的性能影响较大，提高电池性能的关键是减小界面复合。选择适当的工艺条件，获得了效率为２０１％的ａＳｉＧｅ单结电池。

硅单结晶体管γ射线辐照电阻变化规律研究

对在γ射线辐照条件下的单结晶体管基区阻值进行了多点测量和实时监测。结果发现:单结晶体管基区电阻值随γ射线辐照剂量的增加,具有先减小后增大的规律。对比国内外相关实验结果,从γ射线与物质作用微观分析,证明位移效应是单结晶体管基区电阻在γ射线辐照下的主要效应,但它较电离效应具有一定滞后性。

单结晶体管自激振荡电路的教学体会

单结晶体管自激振荡电路的教学体会何克嶷单结晶体管又称双基极二极管，它是单结晶体管自激振荡电路的心脏。抓住单结晶体管的负阻特性和ＲＣ电路的充放电特性这一主线，就能透彻地讲清频率可变的自激振荡的工作原理。下面，谈谈该电路的教学体会。第一步，复习巩固ＲＣ充...

InGaAsP单结太阳电池基区的优化与模拟

通过有限元分析软件APSYS对1.0 eV的InGaAsP单结太阳电池进行建模仿真,通过改变基区的厚度和掺杂浓度,得到短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率等电学参数,最终在AM0、1 Sun、300 K不加减反射膜的情况下效率达到12.64%.