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应变硅电子迁移率解析模型(英文) 被引量：1
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作者 李小健 谭耀华 田立林 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期863-868,共6页
提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及〈100〉/〈110〉方向单轴应力,沟道方向为〈100〉/〈110〉的器件;易于嵌入常用仿真工具中.
关键词 应变硅 电子迁移率 解析模型 n型场效应管 单轴应力/应变
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