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(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构
被引量:
6
1
作者
马建立
张鹤鸣
+2 位作者
宋建军
王冠宇
王晓艳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期552-557,共6页
首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)...
首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.
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关键词
单轴应变硅
K·P法
能带结构
原文传递
题名
(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构
被引量:
6
1
作者
马建立
张鹤鸣
宋建军
王冠宇
王晓艳
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第2期552-557,共6页
基金
国家部委项目(批准号:51308040203,6139801)
中央高校基本科研业务费项目(批准号:72105499)
陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
文摘
首先计算了(001)晶面单轴应变张量,在此基础上采用结合形变势理论的K·P微扰法建立了在(001)晶面内受任意方向的单轴压/张应力作用时,应变硅材料的能带结构与应力(类型、大小)及晶向的关系模型,进而分析了不同单轴应力(类型、大小)及晶向对应变硅材料导带带边、价带带边、导带分裂能、价带分裂能、禁带宽度的影响.研究结果可为单轴应变硅器件应力及晶向的选择设计提供理论依据.
关键词
单轴应变硅
K·P法
能带结构
Keywords
uniaxial strained silicon
K·P method
energy band structure
分类号
O481.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
(001)面任意方向单轴应变硅材料能带结构
马建立
张鹤鸣
宋建军
王冠宇
王晓艳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
6
原文传递
已选择
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参考文献
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