期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
注入条件对SIMOX材料的影响
1
作者 李映雪 游曲波 +4 位作者 甘学温 武国英 王阳元 丁富荣 韦伦存 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第5期74-76,共3页
利用RBS和TEM技术分析研究了不同注入剂量、注入方式(单重注入,多重注入)对SIMOX材料各层结构的影响,特别着重研究了Si/SiO_2界面过渡区受注入条件的影响.结果表明,在注入剂量相同的情况下,多重注入不仅能改... 利用RBS和TEM技术分析研究了不同注入剂量、注入方式(单重注入,多重注入)对SIMOX材料各层结构的影响,特别着重研究了Si/SiO_2界面过渡区受注入条件的影响.结果表明,在注入剂量相同的情况下,多重注入不仅能改善顶层单晶、SiO_2绝缘层的质量,而且能显著减小Si/SiO_2界面过渡区宽度。 展开更多
关键词 注入 SOI 单重注入 多重注入
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部