注入条件对SIMOX材料的影响

利用ＲＢＳ和ＴＥＭ技术分析研究了不同注入剂量、注入方式（单重注入，多重注入）对ＳＩＭＯＸ材料各层结构的影响，特别着重研究了Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区受注入条件的影响．结果表明，在注入剂量相同的情况下，多重注入不仅能改善顶层单晶、ＳｉＯ＿２绝缘层的质量，而且能显著减小Ｓｉ／ＳｉＯ＿２界面过渡区宽度。