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题名卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
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作者
刘伟
吴仪
刘效岩
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机构
北京七星华创电子股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第11期861-865,871,共6页
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基金
国家科技重大专项02专项资助项目(2013ZX02103)
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文摘
随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从1.02 nm/min线性提高到1.06 nm/min,腐蚀速率的非均匀性先是迅速降低,但当转速高于150 r/min后,基本保持在2.70%。喷淋臂在晶片中心定点喷射、匀速摆动和呈抛物线型摆动时,晶片腐蚀速率都约为1 nm/min,腐蚀速率均沿晶片中心到边缘径向降低,与定点喷射相比,喷淋臂在晶片表面摆动后,腐蚀速率的非均匀性明显降低,且抛物线摆动低于匀速摆动,达到1.48%。
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关键词
单片湿法腐蚀
卡盘转速
喷淋臂摆动方式
腐蚀速率
腐蚀非均匀性
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Keywords
single wafer wet etching
chuck rotation speed
dispensing arm swing mode
etching rate
etching non-uniformity
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分类号
TN305.97
[电子电信—物理电子学]
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