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蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析
被引量:
6
1
作者
潘惠平
成枫锋
+2 位作者
李琳
洪瑞华
姚淑德
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期509-514,共6页
利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类...
利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类型及结晶品质.实验表明:在相同的生长温度(500°C)下,结晶品质随压强的下降而变好,生长压强为15Torr(1Torr=133.322Pa)的样品其结晶品质最好,沿轴入射之比χmin值为14.5%;在相同的生长压强(15Torr)下,结晶品质受生长温度的影响不大,所以,生长温度不是改变结晶品质的主要因素;此外,在相同的生长条件下制备的样品,分别经过700,800和900°C退火后,其结晶品质随退火温度的变化而变化.退火温度为800°C的样品的结晶品质最好,χmin值为11.1%;当退火温度达到900°C时,样品部分分解;经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(02)面衍射峰,其半峰全宽为0.5,表明该Ga2O3外延膜是(02)择优取向.
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关键词
氧化镓
卢瑟夫背散射
X射线衍射
结晶品质
原文传递
题名
蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析
被引量:
6
1
作者
潘惠平
成枫锋
李琳
洪瑞华
姚淑德
机构
北京大学
黔南民族师范学院物理与电子科学系
台湾国立中兴大学精密工程研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期509-514,共6页
基金
国家自然科学基金(批准号:10875004,11005005)
国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB832904)资助的课题~~
文摘
利用卢瑟夫背散射/沟道技术和金属有机化学气相沉积方法,对蓝宝石衬底上在不同温度、压强下生长的Ga2+xO3-x薄膜进行结构和结晶品质的测量与分析;并结合高分辨X射线衍射分析技术,通过对其对称(02)面的θ—2θ及ω扫描,确定了其结构类型及结晶品质.实验表明:在相同的生长温度(500°C)下,结晶品质随压强的下降而变好,生长压强为15Torr(1Torr=133.322Pa)的样品其结晶品质最好,沿轴入射之比χmin值为14.5%;在相同的生长压强(15Torr)下,结晶品质受生长温度的影响不大,所以,生长温度不是改变结晶品质的主要因素;此外,在相同的生长条件下制备的样品,分别经过700,800和900°C退火后,其结晶品质随退火温度的变化而变化.退火温度为800°C的样品的结晶品质最好,χmin值为11.1%;当退火温度达到900°C时,样品部分分解;经热处理的样品其X射线衍射谱中有一个强的Ga2O3(02)面衍射峰,其半峰全宽为0.5,表明该Ga2O3外延膜是(02)择优取向.
关键词
氧化镓
卢瑟夫背散射
X射线衍射
结晶品质
Keywords
Ga203, rutherford backscattering spectrometry/channeling, X-ray diffraction, crystalline quality
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
蓝宝石衬底上生长的Ga_(2+x)O_(3-x)薄膜的结构分析
潘惠平
成枫锋
李琳
洪瑞华
姚淑德
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013
6
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