卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺的现状及发展趋势

首先,重点介绍了目前卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺的研究进展,概述了国内外相关研究主要的方法、结果与发现;其次,分析了卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺研究的现状,归纳出目前国内外各种方法的优劣性及适用性;最后,对我国卤硅烷体系脱除B、P杂质工艺研究进行了展望,提出我国该工艺研究的发展趋势与方向,今后我国应加强吸附法的研究,分子设计并合成具有特定功能的原子或基团的树脂吸附剂,用于卤硅烷体系除B、P杂质,最终形成流程简单、能耗较低、除杂效果稳定的树脂吸附工艺。

从专利数据分析直接合成法制备有机卤硅烷的研究现状

有机氯硅烷是有机硅工业的基础和核心,是制备有机硅聚合物(硅油、硅橡胶及硅树脂)及其他硅官能硅烷最重要的原料。因此,有机氯硅烷的生产状况,在相当程度上决定了有机硅工业的水平。本文从专利申请量趋势、专利申请区域分布和专利申请人等三个角度,对直接合成法制备有机卤硅烷的研究现状进行了分析。

卤代硅烷(R_3SiX)与NR′_3形成五配位硅化合物的加成反应

对R_3SiX(R=H、CH_3;X=F、Cl、Br、I)与NR3′(R′=H、CH_3)的加成物用量子化学密度泛函方法在B3LYP/6-31g(d,p)基组下(X原子采用cep-121g基组)进行了两种加成方式的研究.一种是NR′3沿Si—X键轴向位置的加成,另一种是NR3′沿Si—X键侧向接近的加成.计算结果表明,前者更稳定且更容易形成加成物;Si上斥电子基团不利于Si—N键的形成,而N上斥电子基团则有利于Si—N键的形成;NH3-H3SiX系列和N(CH3)3-H3SiX系列均能以两种方式进行加成,NH3-H2(CH3)SiX系列仅能沿Si—X键轴向进行加成,而NH3-H(CH3)2SiX和NH3-(CH3)3SiX系列两种方式都不能进行加成;在同系列加成产物中,以X=Cl时所得加成物最稳定.讨论了所有加成物中各键的性能、NBO电荷变化、取代基对加成物结构和稳定性的影响,并对H3SiX(X=F、Cl、Br、I)与NH3及N(CH3)3加成物在有机溶剂中导电的可能性进行了讨论.

卤代硅烷体系的等压汽液平衡

综述了国内外卤代硅烷体系的等压汽液平衡研究进展。概括描述了卤代硅烷体系的等压汽液平衡的实验测定、数据的关联与预测和实验装置,最后简要展望了今后的主要研究方向。

卤代硅烷的醇解与应用

本文着重讨论了卤代硅烷醇解反应的机理、条件与应用.

含氢硅烷化合物的制备方法

含氢硅烷是构建高性能有机硅材料的关键中间体,广泛应用于有机硅、医药、电子电气、芯片等领域,属于重要的精细化学品.本文综述了近年来含氢硅烷的主要制备方法,包括直接法、卤硅烷的金属氢化物还原法、氢气还原法以及烷氧基硅烷的还原法,比较分析了各种方法得到的含氢硅烷收率及各自的优缺点和局限性,指出开发新的合成和分离方法才能支撑我国相关高新技术领域的可持续发展.

三氯硅烷的制备及精制工艺进展

重点描述了三氯硅烷(HS iC l3)的制备和精制工艺。HS iC l3的工业化合成方法主要有硅氢氯化法和四氯化硅-氢还原法2种,HS iC l3的精制方法主要有精馏法、吸附法和多步精制法,其中多步精制法又可分为冷凝-精馏法、反应-精馏法、吸附-精馏法等。结合使用先进的精制工艺,产品可满足高端电子产品的需求。同时介绍了高纯HS iC l3的国际生产情况,指出中国目前HS iC l3产品的纯度只能满足中低端应用,今后应加紧开发高纯度级别的产品,缩短与国外先进水平的差距。

气相二氧化硅的发展及其特性

气相二氧化硅(在国内也称气相法白炭黑)是由有机卤硅烷在氢氧焰中高温水解制得的一种超细二氧化硅产品，由于其优异的性能而广泛应用于橡胶、塑料、电子、涂料、油墨、胶粘剂、医药、农业、纸张、食品、化妆品等领域，起到补强、增稠、触变、消光、吸附、防粘连、抗结块等作用。

纳米气相二氧化硅及其相关标准

l 纳米气相二氧化硅概况纳米气相二氧化硅(国内俗称气相法白炭黑,以下简称气相SiO_2)是利用卤硅烷经氢氧焰高温水解制得的一种精细、特殊的无定形二氧化硅产品,该产品的原生粒径在7～40nm之间,比表面积一般在100m^2/g～400m^2/g范围内,产品纯度高,SiO^2含量不小于99.8%,是一种极其重要的无机纳米粉体材料。由于其优越的稳定性、补强性、增稠性和触变性而在橡胶、塑料、电子、涂料、医药、农业和CMP等领域得到广泛的应用。气相SiO^2一般有亲水型和疏水型两种产品。

硅氢加成反应与研究

本文指出硅氢反应加成的反应机理,加成方式及产物的重要用途。

气相法白炭黑在日用品中的应用

气相法白炭黑是利用有机卤硅烷在氢氧焰高温水解制得的一种无定形二氧化硅产品,其原生粒径在7～40纳米之间,比表面积一般大于100m^2/g,产品纯度极高,二氧化硅含量不小于99.8%。气相法白炭黑是自上世纪四十年代开始工业化生产,在过去几十年的工业生产中,没有发现因吸入气相法白炭黑而导致硅肺病的病例。国际癌症研究协会(IARC)声明目前还没有足够的证据证明合成的无定形二氧化硅对人或实验动物有致癌作用,相反IARC已把结晶二氧化硅列入了致癌物质之中,此外欧共体的指令性文件(67/548/EEC)

反应Si+HCl→SiCl+H的直接动力学研究

利用从头算直接动力学方法 ,研究反应 Si+ HCl Si Cl+ H的动力学性质 .在 QCISD/6 -31 1 +G( d,p)和 CCSD( T) /aug-cc-pvtz(单点 )水平上 ,得到体系的势能面信息 ,进而利用变分过渡态理论计算了反应的速率常数及其与温度的关系 .计算结果与实验符合得很好 .

Si=Si双键化合物的合成方法及其特性

由于Si=Si双键的键能(272 kJ/mol)比C=C双键的键能(698 kJ/mol)小得多,故硅在通常情况下不倾向生成Si=Si双键;又因为含Si=Si双键的化合物容易重排生成自由基H_2 i—i H_2或R_2 i—i R_2,因此人们在试图合成Si=Si双键化合物时,很容易得到环状化合物,如。随着实验条件的改善,化学家们终于找到了解决合成Si=Si双键化合物的途径。

三氯硅烷的制备及精制工艺进展

重点描述了三氯硅烷（HSiCl3）的制备和精制工艺．HSiCl3的工业化合成方法主要有Si氨氯化法和SiCl4-H2还原法2种．结合使用先进的精制工艺．产品可满足高端电子产品的需求。同时介绍了HSiCl3的物理和化学性质、应用及经济概况。