卷对卷纳米压印脱模过程的有限元模拟

本文提出卷对卷纳米压印脱模的两种形式并分析了脱模过程中的阻力。选取垂直于光栅形微结构的截面作为研究对象,忽略脱模过程中旋转角度的影响,将模板上微结构当作竖直平移脱离胶层的方式来处理,利用ANSYS有限元软件模拟了卷对卷脱模过程中不同位置的变形和等效应力分布。结果显示脱模过程中出现两处应力集中,且应力集中处的最大应力在脱模刚发生时出现波动,随后逐渐增大。

紫外纳米压印技术的研究进展

传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。