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紫外纳米压印技术的研究进展
被引量:
6
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作者
殷敏琪
孙洪文
王海滨
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第5期347-354,共8页
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料...
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。
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关键词
紫外
纳米
压
印
光刻
(UV-NIL)
抗蚀剂
热
压
印
光刻
(T-NIL)
步进-闪光
压
印
光刻
(S-FIL)
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卷
纳米
压
印
光刻
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职称材料
题名
紫外纳米压印技术的研究进展
被引量:
6
1
作者
殷敏琪
孙洪文
王海滨
机构
河海大学物联网工程学院
出处
《微纳电子技术》
北大核心
2017年第5期347-354,共8页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(2015B22514)
文摘
传统的紫外纳米压印(UV-NIL)虽然不受曝光波长的限制,但是存在气泡残留、压印不均匀、模具寿命短等问题。为解决这些问题产生了各种新型UV-NIL工艺,针对这些工艺阐述了紫外纳米压印技术工艺要素的最新研究进展,包括模具、光刻胶的材料与制备技术的现状,并列举了步进-闪光压印光刻(S-FIL)、卷对卷式紫外纳米压印光刻(R2R-NIL)等工艺的流程及其特点。紫外纳米压印的图形质量目前仍受光刻胶填充、固化、脱模等物理行为影响。结合最近的实验研究,从理论方面概述了紫外纳米压印的基本原理,主要指出了光刻胶流动行为以及模具降解等问题。最后介绍了一些紫外纳米压印技术的尖端应用。
关键词
紫外
纳米
压
印
光刻
(UV-NIL)
抗蚀剂
热
压
印
光刻
(T-NIL)
步进-闪光
压
印
光刻
(S-FIL)
卷对
卷
纳米
压
印
光刻
(
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Keywords
UV nanoimp
r
int lithog
r
aphy(UV-NIL)
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esist
the
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mal nanoimp
r
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r
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oll-to-
r
oll nanoimp
r
int lithog
r
aphy(
r
2
r-nil
)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
紫外纳米压印技术的研究进展
殷敏琪
孙洪文
王海滨
《微纳电子技术》
北大核心
2017
6
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