基区复合电流对双极晶体管厄利电压的影响

推导了在考虑了基区复合电流后双极晶体管厄利电压的理论表达式。用该表达式计算了 Si/Si Ge异质结双极晶体管的厄利电压 ,并且与仿真结果进行了比较。比较结果表明 。

晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响。通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点。分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题。

一种基于gm/I_D参数的运算放大器设计方法

介绍一种基于gm/I_D参数的模拟集成电路设计优化方法,通过建立gm/I_D参数与栅源电压和标准化电流查找表,能够快速确定器件参数,简化计算,缩短设计周期。与传统设计方法相比具有适用于MOS管所有工作区域、满足低功耗要求等优点。基于Cadence Spectre 0.5μm工艺对电路进行设计优化仿真,仿真结果表明,该方法进行的手工估算与仿真值的误差在可接受范围以内,达到设计要求。