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压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究
1
作者
彭程
李学宝
+4 位作者
曹子楷
顾妙松
唐新灵
赵志斌
崔翔
《华北电力大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023年第3期91-100,共10页
压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片...
压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,利用所研制的具有多因素解耦、灵活调节能力的双脉冲实验平台,针对一款3.3kV/50A压接型IGBT芯片,测量获得了不同母线电压、负载电流、驱动电阻、温度及机械压力下的双脉冲实验波形。分析了不同影响因素对双脉冲波形的影响规律,对比了不同影响因素对IGBT动态特征参数影响程度,结果表明母线电压主要影响关断过程,负载电流、驱动电阻和温度主要影响开通过程,机械压力对开通关断过程的影响很小,研究结果对IGBT芯片建模及压接型IGBT器件安全运行具有重要的指导意义。
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关键词
压接型igbt芯片
动态特性
双脉冲实验平台
影响因素
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职称材料
压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现
被引量:
11
2
作者
彭程
李学宝
+2 位作者
张冠柔
赵志斌
崔翔
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第12期2471-2481,共11页
压接型IGBT芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电-热-力影响下的IGBT芯片动态特性对于指导IGBT芯片建模以及规模化IGBT并联封装设计具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,...
压接型IGBT芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电-热-力影响下的IGBT芯片动态特性对于指导IGBT芯片建模以及规模化IGBT并联封装设计具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,该文结合双脉冲测试电路原理,研制出具备电-热-力灵活调节的压接型IGBT芯片动态特性实验平台。通过对动态特性实验平台关键问题进行有限元仿真计算,实现平台回路寄生电感、IGBT芯片表面压力分布及机械夹具温度分布的优化设计。在此基础上建立压接型IGBT芯片动态特性实验平台,对实验平台进行综合调试,结果表明,该文所设计的实验平台具有寄生电感小、IGBT芯片表面压力分布均衡及机械夹具各组件温度分布合理的特点,可以满足电-热-力综合影响因素下压接型IGBT芯片动态特性实验的需求。
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关键词
压接型igbt芯片
动态特性
寄生电感
温度
机械
压
力
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职称材料
压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法
被引量:
10
3
作者
彭程
李学宝
+3 位作者
顾妙松
赵志斌
唐新灵
崔翔
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第22期7388-7397,共10页
压接型IGBT芯片的并联使用是提高IGBT器件电流等级的重要手段。然而芯片之间的电流不平衡限制了器件的最大额定电流。通常需要通过实验测试的方法评估这种不均流度,然而难点之一是如何准确测量压接型IGBT器件内部芯片的电流。罗氏线圈...
压接型IGBT芯片的并联使用是提高IGBT器件电流等级的重要手段。然而芯片之间的电流不平衡限制了器件的最大额定电流。通常需要通过实验测试的方法评估这种不均流度,然而难点之一是如何准确测量压接型IGBT器件内部芯片的电流。罗氏线圈因其具有灵活、无饱和、非嵌入式等优点,是目前用于压接型IGBT器件内部电流测量的主要手段。已有的研究表明,罗氏线圈在测量压接型IGBT器件内部芯片电流时出现了较大的误差。文中针对罗氏线圈在压接型IGBT器件内部芯片电流测量的特殊应用工况,分析电流测量误差产生的原因;建立罗氏线圈误差模型,并推导误差解析公式;采用误差解析公式提出2种减小测量误差的方法;最后,通过实验验证所提误差解析公式及减小测量误差方法的有效性。
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关键词
罗氏线圈
压接型igbt芯片
电流测量
误差模
型
误差解析公式
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职称材料
题名
压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究
1
作者
彭程
李学宝
曹子楷
顾妙松
唐新灵
赵志斌
崔翔
机构
新能源国家重点实验室(华北电力大学)
国网浙江省电力有限公司经济技术研究院
先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司)
出处
《华北电力大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023年第3期91-100,共10页
基金
国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目(U1766219).
文摘
压接型IGBT器件内部具有复杂的电-热-力环境,直接影响了其内部IGBT芯片的动态特性,进而决定了整个器件的安全工作能力。为此,研究不同影响因素下的压接型IGBT芯片动态特性具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,利用所研制的具有多因素解耦、灵活调节能力的双脉冲实验平台,针对一款3.3kV/50A压接型IGBT芯片,测量获得了不同母线电压、负载电流、驱动电阻、温度及机械压力下的双脉冲实验波形。分析了不同影响因素对双脉冲波形的影响规律,对比了不同影响因素对IGBT动态特征参数影响程度,结果表明母线电压主要影响关断过程,负载电流、驱动电阻和温度主要影响开通过程,机械压力对开通关断过程的影响很小,研究结果对IGBT芯片建模及压接型IGBT器件安全运行具有重要的指导意义。
关键词
压接型igbt芯片
动态特性
双脉冲实验平台
影响因素
Keywords
Press-pack
igbt
chip
dynamic characteristics
double-pulse test platform
influencing factors
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现
被引量:
11
2
作者
彭程
李学宝
张冠柔
赵志斌
崔翔
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
出处
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第12期2471-2481,共11页
基金
国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目(U1766219)
国家电网有限公司科技项目(520201190095)资助。
文摘
压接型IGBT芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电-热-力影响下的IGBT芯片动态特性对于指导IGBT芯片建模以及规模化IGBT并联封装设计具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,该文结合双脉冲测试电路原理,研制出具备电-热-力灵活调节的压接型IGBT芯片动态特性实验平台。通过对动态特性实验平台关键问题进行有限元仿真计算,实现平台回路寄生电感、IGBT芯片表面压力分布及机械夹具温度分布的优化设计。在此基础上建立压接型IGBT芯片动态特性实验平台,对实验平台进行综合调试,结果表明,该文所设计的实验平台具有寄生电感小、IGBT芯片表面压力分布均衡及机械夹具各组件温度分布合理的特点,可以满足电-热-力综合影响因素下压接型IGBT芯片动态特性实验的需求。
关键词
压接型igbt芯片
动态特性
寄生电感
温度
机械
压
力
Keywords
Press-pack
igbt
chip
dynamic characteristics
parasitic inductance
temperature
mechanical pressure
分类号
TN307 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法
被引量:
10
3
作者
彭程
李学宝
顾妙松
赵志斌
唐新灵
崔翔
机构
新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)
先进输电技术国家重点实验室(全球能源互联网研究院有限公司)
出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020年第22期7388-7397,共10页
基金
国家自然科学基金–国家电网公司联合基金重点项目资助(U1766219)
国家电网有限公司科技项目资助(520201190095)。
文摘
压接型IGBT芯片的并联使用是提高IGBT器件电流等级的重要手段。然而芯片之间的电流不平衡限制了器件的最大额定电流。通常需要通过实验测试的方法评估这种不均流度,然而难点之一是如何准确测量压接型IGBT器件内部芯片的电流。罗氏线圈因其具有灵活、无饱和、非嵌入式等优点,是目前用于压接型IGBT器件内部电流测量的主要手段。已有的研究表明,罗氏线圈在测量压接型IGBT器件内部芯片电流时出现了较大的误差。文中针对罗氏线圈在压接型IGBT器件内部芯片电流测量的特殊应用工况,分析电流测量误差产生的原因;建立罗氏线圈误差模型,并推导误差解析公式;采用误差解析公式提出2种减小测量误差的方法;最后,通过实验验证所提误差解析公式及减小测量误差方法的有效性。
关键词
罗氏线圈
压接型igbt芯片
电流测量
误差模
型
误差解析公式
Keywords
Rogoswski coil
press-pack
igbt
chip
current measurement
error model
error analytical formula
分类号
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
压接型IGBT芯片动态特性影响因素实验研究
彭程
李学宝
曹子楷
顾妙松
唐新灵
赵志斌
崔翔
《华北电力大学学报(自然科学版)》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现
彭程
李学宝
张冠柔
赵志斌
崔翔
《电工技术学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
11
下载PDF
职称材料
3
压接型IGBT器件内部芯片电流测量时罗氏线圈的误差分析及改进方法
彭程
李学宝
顾妙松
赵志斌
唐新灵
崔翔
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2020
10
下载PDF
职称材料
已选择
0
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