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无源无损软开关中压控可变电容的研究 被引量:2
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作者 王蓓蓓 郑琼林 +1 位作者 张捷频 李艳 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2015年第9期79-86,共8页
在无源无损软开关中采用压控可变电容的方法来进一步减少IGBT的关断损耗,从而缓解其散热压力。该压控可变电容由两个缓冲电容和辅助MOSFET构成,其控制方法简单,可自动实现电容容值的变换。同时,辅助MOSFET由其串联支路上的电容电压和辅... 在无源无损软开关中采用压控可变电容的方法来进一步减少IGBT的关断损耗,从而缓解其散热压力。该压控可变电容由两个缓冲电容和辅助MOSFET构成,其控制方法简单,可自动实现电容容值的变换。同时,辅助MOSFET由其串联支路上的电容电压和辅助电源控制。在IGBT关断之前,MOSFET由于其控制信号为高电平而处于导通状态,因此当IGBT关断时,可变电容等效为两个电容并联,从而表现为大电容特性,减少其CE两端电压的上升斜率;当MOSFET的控制信号下降到关断阈值时,可变电容表现为小电容特性,从而快速达到IGBT的关断稳态。依据可变电容的理论波形对其工作原理进行详细分析,并对该无源无损软开关回路中额外损耗进行理论计算。最后通过搭建Buck变换器的实验平台对上述理论进行验证。 展开更多
关键词 无源无损软开关 压控可变电容 附加损耗 辅助电源
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A wideband low-phase-noise LC VCO for DRM/DAB frequency synthesizer
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作者 雷雪梅 王志功 王科平 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2010年第4期528-531,共4页
The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to... The wideband CMOS voltage-controlled oscillator(VCO)with low phase noise and low power consumption is presented for a DRM/DAB(digital radio mondiale and digital audio broadcasting)frequency synthesizer.In order to obtain a wide band and a large tuning range,a parallel switched capacitor bank is added in the LC tank.The proposed VCO is implemented in SMIC 0.18-μm RF CMOS technology and the chip area is 750 μm×560 μm,including the test buffer circuit and the pads.Measured results show that the tuning range is 44.6%;i.e.,the frequency turning range is from 2.27 to 3.57 GHz.The measured phase noise is-122.22 dBc/Hz at a 1 MHz offset from the carrier.The maximum power consumption of the core part is 6.16 mW at a 1.8 V power supply. 展开更多
关键词 CMOS voltage-controlled oscillator switched capacitor bank MOS varactors WIDEBAND low phase noise DRM/DAB frequency synthesizer
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