高性能ZnO低压压敏电阻器的研制及产业化

通过采用独特的Zn-Bi-Ti-Sn配方体系,并运用高温(800℃)烧银技术,可实现压敏电压低压化,并能很好解决低压极性问题。制得的产品其压敏场强约20V/mm左右,电压极性为1V以下,非线性系数大30以上,泄漏电流5μA以下,限制电压比约1.5(2.5A),芯片Φ10mm产品经1300A雷电流(8/20μS)冲击,压敏电压变化率为-3%左右,产品已实现产业化。

高压ZnO避雷器的改性实验研究

研究了掺杂及工艺对ＺｎＯ阀片电学性能的影响规律．其结果表明：适量的Ａｌ２Ｏ３掺杂，可改变ＺｎＯ阀片的大电流区特性，过多的Ａｌ２Ｏ３掺杂将使ＺｎＯ阀片的性能变差；ＭｇＯ可提高压敏电压，增大大电流冲击的稳定性；ＳｉＯ２可有效提高压敏电压及非线性系数，适量的ＳｉＯ２能提高阀片的冲击稳定性．在烧结ＺｎＯ阀片时，在８００～１２００℃温区内，样品的热处理升温速度应控制在２５～５０℃／ｈ左右，这不仅使阀片的残压特性有很大的改善。