片式多层电容电阻复合元件的研制

采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术将电容、电阻元件集成在多层陶瓷基板里,构成了一种新型的片式多层复合元件,并研究了其制造工艺性能和频率特性。结果表明,片式多层电容电阻复合元件制造工艺适合批量化生产,并为片式多层LC滤波器、LTCC基板及器件的研发提供了极好的参考价值。

PI/CAB复合介质膜湿敏元件敏感特性研究

本文提出一种新型电容式复合介质膜湿敏元件 ,它的介质膜是将线性输出、温度特性取向不同的两类感湿介质膜 ( PI,CAB)互补复合而成 .对比试验表明 ,复合介质膜湿敏元件具有优异的线性输出 ,并对温度系数。

超级电容器碳纳米管及其复合电极材料最新研究进展

超级电容器作为一种新型储能元件，具有比传统电容器高得多的能量密度和比电池大得多的功率密度以及超长的使用寿命等特点。碳纳米管由于具有良好的导电性和高比表面积而成为超级电容器的理想电极材料。综述了用作超级电容器电极材料的碳纳米管及其复合材料的结构、特性、电化学性能和基于该材料的超级电容器研究的新成果。

膜纸复合介质元件的耐压检验方式探讨

本文结合电介质物理的理论 ,分析了直流耐压、交流耐压和冲击耐压检验方式对薄弱膜纸复合元件检出率的影响 ,得出适合膜纸复合元件的冲击耐压检验方式 。

用于埋入式电容器的新型超高介电常数聚合物复合材料

和传统的独立式电容器技术相比，埋入式电容器技术可提高硅组装的效率、改善电性能、降低电子装配的成本。为满足无线电、RF(射频)便携式通讯产品的需求，将电容日器和印制线路板合为一体，而开发一种满足电子、可靠性和工艺要求的材料具有很大的挑战性。先前的εr=150的记录只是在最近才报道过。据我们所知．这是所报道过的最大K(介电常数)值的聚合物复合材料。本工作中，开发了一种新型的具有超离介电常数(εr^1000)的环氧基复合材料。高介电常数是通过提高聚合物基体中的导电填料的含量获得的。这种新型超高K值的材料还具有低损耗(＜0．02)、好的粘接强度和理想的多芯片模块层压工艺兼容性。使用这种材料和旋涂技术制作了一种电容密度为100nF／cm^2的埋入式电容器。这种新型材料是下一代电子产品用集成电容器理想的侯选材料。

添加剂对SrTiO_3基复合功能陶瓷材料性能的影晌

研究了 Y 20 3、 MnCO 3、 H 3BO 3和 CaCO 3添加剂对 SrTiO 3基复合功能陶瓷材料性能的影响。结果表明，施主 Y3＋的掺杂可促进 SrTiO 3材料的半导化，，通过显微结构观察，当 Y含量为 1.2％摩尔分数时晶粒最大且较匀致，故 Y 20 3掺杂最佳为 1． 2％摩尔分数。受主 Mn2＋倾向于晶界处偏析，有助于形成材料的晶界势垒，提高材料的压敏非线性系数，降低漏电流 IL， MnCO 3掺杂以 0.12％摩尔分数最佳。由于 H 3BO 3具有降低烧结温度，拓宽烧成温度范围，在较低温度时产生液相，使晶粒生长充分、匀致，但产生液相过量又会制约晶粒生长。 H 3BO 3掺杂以 1％摩尔分数为宜。少量的 CaCO 3有助熔作用，而 CaCO 3本身又具有晶粒细化作用，过量的 CaCO 3还使晶粒粗大，通过显微结构观察得到证实， CaCO 3掺杂以 0.05％摩尔分数为宜。

有机导体TCNQ电荷转移复合物的热稳定性研究

为提高TCNQ电荷转移复合物用于电解电容器时的热稳定性,在升温与降温过程中的原位红外光谱方法研究了TCNQ正丁基异喹啉电荷转移复合物的热分解,并以DSC、TGA等手段检测了这种复合物的耐热性.研究表明,在220℃的温度下,恒温时间控制在10min以内,上述复合物的结构没有明显的变化;但时间超过10min后,其结构就有明显的变化,而且这种变化是不可逆的,说明这种复合物已经开始分解.把此研究结果用于TCNQ型铝固体电解电容器的制作工艺,借助于严格控制加热温度及加热时间制得了高频特性与耐温性均好于常规的铝液体电解电容器的TCNQ型铝固体电解电容器.

无功补偿的最佳产品——全膜电力电容器

利用电力电容器对输变电线路和感性负载进行无功补偿,减少损耗,提高功率因数,改善电压质量,改善回路特性,充分而有效地利用电能,这是人们普遍采用的技术措施。可是,究竟选用什么样的电力电容器才能把损耗减少到最低限度,充分挖掘无功补偿的潜力,其中有个优选问题。因此。

MXene/CNT复合材料——让电池更小更耐用

随着便携式可穿戴电子设备需求的增加，使得提高储能元件（如超级电容器）的体积能量密度逐渐成为一个重要目标。MXenes是一种新型的二维金属碳化物，其单位体积的电容量远超常用的碳材料，有望成为新一代超级电容器电极材料。

文献与摘要(126)

制造埋置无源元件基板 现在的数字化电子设备需要安装许多电阻电容等无源元件，把无源元件直接埋置于基板（PCB）内，是减小PCB尺寸、减少安装成本、提高产品性能和可靠牲的有效途径。文章叙述了埋置电容多层板的设计、制造、性能和可靠性测试整个过程，重点是构成电容介质的纳米复合材料结构对电容值和基板电性能影响，采用RC3（铜箔涂树脂和涂电容复合材料）薄膜可制造出性能稳定可靠的埋置无源元件多层板。

纳米复合材料使薄膜电子元件取得进展

佐治亚技术学院的有机光电研究人员演示了一种技术，即采用纳米加工方法实现高性能的薄膜电容介电材料，其有可能被用于晶体管。这种碳酸钡材料一直被认为具有很高的介电常数，但当这种材料悬浮在聚合物中就会有凝结成块的趋势，从而制造出大量晶粒，显示出极低的击穿电压。

机电组件

Y2000-62028-77 0005475掩埋式无源元件(含6篇文章)=3:Embedded passivecomponents[会,英]//1999 IEEE 49th Electronic Com-ponents and Technology Conference.—77～110(UC)本部分收录论文6篇。其论文题目有:影响掩埋电容器复合物介电常数的基本因素的研究。

0400机电组件

0518985超级电容器用氧化物/碳复合电极数学模型=A Math- ematical Modd of Oxide/Carbon Composite Electrode forSupercapacitors[刊,英]/H.Fim,B.N.Popov//Journal