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室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
1
作者
张琼
蔡传荣
周海芳
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2001年第2期55-57,共3页
采用透射电镜 (TEM )定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息 .发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态 .尽管产生的原因各异 ,但均为最终的低能稳定组态 .位错的存在和运动表明常温下单晶硅的...
采用透射电镜 (TEM )定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息 .发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态 .尽管产生的原因各异 ,但均为最终的低能稳定组态 .位错的存在和运动表明常温下单晶硅的压痕缺口附近产生塑性变形 .
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关键词
单晶硅
塑性变形
显微
压
痕
微观
位错
组态
透射电镜
位错
圈
扩展
位错
压杆位错
原文传递
题名
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
1
作者
张琼
蔡传荣
周海芳
机构
福州大学材料科学与工程学院
福州大学测试中心
福州大学电子科学与应用物理系
出处
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2001年第2期55-57,共3页
基金
福建省教委基金!资助项目 (JA99132 )
文摘
采用透射电镜 (TEM )定位观察了室温单晶硅显微压痕表面的微观信息 .发现了为数不少的位错圈、堆垛层错、扩展位错及压杆位错、位错偶等多种组态 .尽管产生的原因各异 ,但均为最终的低能稳定组态 .位错的存在和运动表明常温下单晶硅的压痕缺口附近产生塑性变形 .
关键词
单晶硅
塑性变形
显微
压
痕
微观
位错
组态
透射电镜
位错
圈
扩展
位错
压杆位错
Keywords
single crystalline silicon
dislocation
plastic deformation
micro-indentation
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O772 [理学—晶体学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
室温下单晶硅显微压痕表面位错组态的TEM观察
张琼
蔡传荣
周海芳
《福州大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
2001
0
原文传递
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参考文献
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