稀掺杂GaN_xAs_(1-x)(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_(1-x)薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到1%时,开始在PzR谱和PR谱中观测到Γ价带的轻重空穴分裂.给出室温下GaN_xAs_(1-x)材料的临界点能量随掺杂浓度的关系图,实验结果为E+和E两个跃迁同起源于L导带提供了室温下的佐证.

光学元件

0118405磁浸没透镜的宽柬曲轴像差理论[刊]/程敏//电子学报.—2001,29(6).—811～813(E)0118406用应变仪探测光纤光栅波长移动的传感网络[刊]/谢芳//光电子·激光.—2001,12(5).—503～505(E)本文提出并实验了一种新的探测光纤光栅波长移动的系统。该系统采用抖动调制的方法逐步逼近光纤光栅反射光谱的中心波长、并用应变仪作为系统的读出装置,彻底消除压电陶瓷的非线性和滞后性带来的误差,使测量系统的精度得到明显提高。