为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400p...为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚度100gm。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响。根据模拟结果，优化了探测器的结构和设计。并用能量为5．9keV的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益，单层最大增益好于1×10^4，双层最大增益好于6×10^4，能量分辨率好于23％。展开更多
厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM／TGEM）在高能物理实验中有广泛应用，如X射线、带电粒子及中子的探测和成像等领域。THGEM的制作通过印制电路的钻孔、蚀刻和外形等工艺来实现，并要求具有高耐压、强电...厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM／TGEM）在高能物理实验中有广泛应用，如X射线、带电粒子及中子的探测和成像等领域。THGEM的制作通过印制电路的钻孔、蚀刻和外形等工艺来实现，并要求具有高耐压、强电场、小孔间距和高孔位精度等特点。本文将根据THGEM的以上特点，分析其对PCB在材料选择、设计和工艺制程等方面的特殊要求，并通过对比各条件的产品性能数据给出应用于高性能THGEM制作的PCB解决方莱。展开更多
气体电子倍增器(GEM,Gas Electron Multiplier)是近些年发展的一种新的气体探测器,具有计数率和位置分辨率高等优点,在粒子物理和X光成像等领域有着广泛的应用前景,近些年来得到了很快的发展.该探测器发展的关键问题之一就是GEM膜结构...气体电子倍增器(GEM,Gas Electron Multiplier)是近些年发展的一种新的气体探测器,具有计数率和位置分辨率高等优点,在粒子物理和X光成像等领域有着广泛的应用前景,近些年来得到了很快的发展.该探测器发展的关键问题之一就是GEM膜结构的制造,该结构需要利用光刻等多项技术来完成,工艺复杂,研制困难.本文介绍了开发GEM膜结构的研究结果,通过干法和湿法腐蚀的研究和对比,优化出GEM膜结构制造的一种工艺过程,并利用该工艺成功完成了GEM膜结构的制造,为国内GEM气体探测器的研究和应用奠定了基础.展开更多
Recent progress of study on gas electron multiplier (GEM) has been described. Due to its fast time re-sponse and excellent position sensitivity, the GEM will find wide applications in particle physics, medicine and as...Recent progress of study on gas electron multiplier (GEM) has been described. Due to its fast time re-sponse and excellent position sensitivity, the GEM will find wide applications in particle physics, medicine and as-trophysics. These potential applications have been briefly introduced.展开更多
文摘为探测0．1～50MeV低能电子脉冲束流的位置分布，研制基于国产厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM）的二维位置探测器，位置分辨要求好于200gm，灵敏面积为50mm×50mm。THGEM的孔径为150gm、孔间距400pm、厚度100gm。用Geant4模拟了薄膜窗厚度、空气层厚度等对电子透过率和横向扩散的影响。根据模拟结果，优化了探测器的结构和设计。并用能量为5．9keV的X射线源55Fe测试不同工作气体的增益，单层最大增益好于1×10^4，双层最大增益好于6×10^4，能量分辨率好于23％。
文摘厚型气体电子倍增器（Thick Gaseous Electron Multiplier，THGEM／TGEM）在高能物理实验中有广泛应用，如X射线、带电粒子及中子的探测和成像等领域。THGEM的制作通过印制电路的钻孔、蚀刻和外形等工艺来实现，并要求具有高耐压、强电场、小孔间距和高孔位精度等特点。本文将根据THGEM的以上特点，分析其对PCB在材料选择、设计和工艺制程等方面的特殊要求，并通过对比各条件的产品性能数据给出应用于高性能THGEM制作的PCB解决方莱。
文摘气体电子倍增器(GEM,Gas Electron Multiplier)是近些年发展的一种新的气体探测器,具有计数率和位置分辨率高等优点,在粒子物理和X光成像等领域有着广泛的应用前景,近些年来得到了很快的发展.该探测器发展的关键问题之一就是GEM膜结构的制造,该结构需要利用光刻等多项技术来完成,工艺复杂,研制困难.本文介绍了开发GEM膜结构的研究结果,通过干法和湿法腐蚀的研究和对比,优化出GEM膜结构制造的一种工艺过程,并利用该工艺成功完成了GEM膜结构的制造,为国内GEM气体探测器的研究和应用奠定了基础.
文摘Recent progress of study on gas electron multiplier (GEM) has been described. Due to its fast time re-sponse and excellent position sensitivity, the GEM will find wide applications in particle physics, medicine and as-trophysics. These potential applications have been briefly introduced.
