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题名基于DILL模型的SU8厚胶曝光仿真
被引量:2
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作者
刘韧
郑津津
沈连婠
田扬超
刘刚
周洪军
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机构
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
国家同步辐射实验室
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出处
《光电工程》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第2期32-39,共8页
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基金
国家自然科学基金(10575097
10775128)
+2 种基金
中国科学院"百人计划"
高等学校博士学科点专项科研基金(20060358050)
"111引智工程"(B07033)资助
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文摘
基于DILL经典曝光模型,对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展:在深度轴上,以基尔霍夫衍射公式为基础,引入复折射率,利用光束传输法的思想计算了某曝光时刻下胶体内部的光场分布;在时间轴上,分析SU8光刻胶的特点及曝光反应过程,建立合适的光交联反应动力学模型,计算不同曝光时刻下的光场分布。通过整个曝光模型的建立,最终给出一定曝光时间后的光场分布;结果表明,在曝光阶段,胶内深层光场整体分布随时间变化不大,曝光时间对曝光阶段光场分布的影响较小,这种影响将在后烘阶段得以放大。
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关键词
光刻模拟
SU8胶
厚胶轮廓
曝光模型
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Keywords
lithography simulation
SU-8 photoresist
figure of thick resist
exposure model
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
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