Pt-Pd-Ag厚膜导体的粗Al丝键合

采用破坏性拉力试验和焊点接触电阻测量两种方法测试Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ三元合金导体的粗Ａｌ丝超声键合的性能。分别在１２４℃，１０００ｈ和３００℃，１０ｈ条件下进行热老练和温度循环等环境试验，然后测量焊点的键合强度。在室温和１２５℃高温条件下，观察了Ａｌ／Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ超声键合系统抗电流冲击的能力。试验结果表明：Ｐｔ－Ｐｄ－Ａｇ厚膜导体适于粗Ａｌ丝超声键合，键合强度能满足要求。

厚膜导体的金属迁移研究

金属迁移能导致混合微电路发生灾难性失效。本文介绍一种简单易行的测试方法──水滴试验法，来测量厚膜电路的实际金属迁移率。用此方法测量时，发现Ｐｄ－Ａｇ导体的迁移率最大，Ｐｔ－Ａｕ导体的金属迁移率最小。并且应用电化学理论分析了Ｐｄ－Ａｇ导体的金属迁移过程．最后根据实验及分析，提出了抑制厚膜导体金属迁移的若干措施。

用剥离法测量厚膜导体的附着强度

导体面积 2mm× 2mm ,焊料成分为 62Sn/ 3 6Pb/ 2Ag,引线Φ0 8mm ,与基体表面成90°弯曲 ,拉伸速度 10mm/min。用剥离法测试 3种导体附着强度的结果表明 :该法操作程序简单、数据稳定、重现性好 ,可以检验导体的附着强度和监控生产工艺的稳定性。

氧化铝基片对厚膜导体附着力的影响

基片的物化性质,与厚膜电路导体的性能,特别是可靠性和生产中的重复性等关系非常密切。本文从实验出发,比较了几种不同的96%氧化铝基片对厚膜导体附着力的影响,并进行分析及讨论。

微型喷嘴雾化直写技术制备厚膜导体研究

采用微细雾化喷射沉积直写的方法在陶瓷基板上制备银厚膜导体。主要研究了施加气压、喷嘴到基板距离、直写速度以及雾化气压对导体线宽的影响规律，分析了微型喷嘴雾化直写厚膜导体机理，并优化了工艺参数，得到了最佳工艺参数范围：施加驱动气压控制在0．05～0．10MPa，喷嘴到基板距离0．4～1．2mm，直写速度在15mm／s以下，雾化气压0．14～0．24MPa，所得线宽350～750μm，单层膜厚1．5～10μm。

厚膜导体材料实现高精度功率电阻研究

由于高精度功率电阻的特殊要求，使用厚膜电阻浆料进行设计和加工往往比较困难。文中介绍一种使用厚膜导体材料，通过栅形导带和阶段性调阻等手段，使电阻满足功率和精度的要求，从而实现高精度功率电阻的方法。

厚膜金导体浆料

概括介绍了厚膜金导体浆料。通过改变金粉、粘结剂和有机载体等主要组份的类型和含量 ,可以制得多种金浆料。①粘结剂类型对厚膜金导体的性能有较大的影响。根据附着机理分类 ,厚膜金导体分为 4种主要类型 ,即玻璃结合型、反应结合型、混合结合型和表面活化结合型。②金粉颗粒的均匀性、单分散性、表面形态及尺寸对浆料的印刷性能和烧结性能影响大。颗粒表面越光滑 ,对提高印刷性能越有利。光滑的表面吸附有机载体较少 ,可减少导体膜在烘干—烧结时的收缩率。③有机载体的含量和流变学性能影响金浆料的印刷性能及烘干—烧结时的收缩率。④金浆中添加起合金化作用的元素 ,可提高导体在铝丝键合体系及Pb -In焊接体系的热老化性能。⑤为适应新的厚膜工艺技术的需要 ,研制可光刻的厚膜金导体浆料和金的金属有机浆料 [AuMOC]

厚膜金导体的可靠性试验

介绍了厚膜金导体可靠性试验方面的一些研究结果。对金的电化学迁移以及厚膜金导体的热试验进行了分析 ,并讨论了在工艺过程中应注意的一些问题。

厚膜Au导体的超声键合技术研究

Al丝超声键合技术是混合电路组装中使用得最为普遍的一种键合技术。本文使用焊点破坏性拉力试验和焊点的接触电阻测试两种方法，研究了导体材料（Au、Pd—Au）、膜层厚度、125℃、300℃热老练和温度循环对焊点键合强度的影响。分析了键合强度降低和焊点失效的原因。

应用于氧化铝共烧基板的厚膜钨导体浆料

概括介绍了应用于电力工业、军事、航天航空等行业的混合集成电路中厚膜钨导体浆料的配方和工艺,并综述了与氧化铝高温共烧的钨导体浆料的配方和组成中各因素,包括:粘结相的类型、钨粉的性质、有机载体的含量和流变学性质、丝网印刷和高温共烧的工艺参数对钨导体浆料性能的影响。

厚膜半导体工艺在气敏元件生产中的应用

文中讲述了将厚膜半导体工艺应用于气敏元件的生产制作,综合运用精密丝网印刷、激光分割、激光调阻、平面绑定等先进技术,达到了高质量、高效率生产气敏元件的效果。应用半导体工艺制作的气敏元件相比传统工艺制作的产品具有体积小、功耗低、机械性能好、批次一致性好等优点。

厚膜银导体银离子迁移的试验设计要点分析

文章对厚膜银导体银离子迁移试验的基本考核条件和试验方法进行了系统分析,由试验结果可知,在直流电场660 V/mm的强度下,经过介质材料和基片材料的更换,能够对银离子的迁移现象产生一定的抑制作用,实现电路可靠性的逐步提高,在具体的厚膜混合电路中,银离子迁移主要是表面界面现象的一种体现,且会直接受到材料表面界面性能等因素的影响。

浆料成分对银导体浆料性能的影响

试验以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,通过改变浆料各成分配比,结合金相显微镜、EDS等分析手段,研究了各成分对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,浆料的粘度随固含量的增加而增大,试验推荐固含量为80%;在试验范围内,导体方阻随着玻璃粉的含量呈现先减小后增大的趋势,推荐玻璃粉最佳含量为3%;玻璃粉粒径与Ag粒径对导体浆料的性能均有影响,对于导电性能而言,不同粒径Ag粉与玻璃粉之间存在最佳组合。对可焊性而言,平均粒径为102.92、204.26nm的Ag粉具有良好的可焊性,玻璃粉粒径对可焊性也有一定影响。

烧成工艺制度对无铅银导体浆料性能的影响

以直流电弧等离子体法自制的超细银粉为原料,固定浆料配比及制备工艺,通过改变浆料烧成工艺制度,结合扫描电子显微镜(SEM)、差热分析(DSC)等分析手段,系统研究了烧成峰值温度和保温时间对最终烧成厚膜导体性能的影响。结果表明,随着烧成峰值温度升高,保温时间延长,导体膜层方阻先减小,后增大;可焊性、耐焊性也具有先变好后变差的趋势。推荐较好的烧成工艺制度为:烧成峰值温度为850℃,保温20 min。

无机添加剂对低温共烧用表面金导体的影响（英文）

金系导体低温共烧陶瓷(LTCC)技术为一些用于恶劣环境中的器件提供了高可靠性。当金厚膜导体与瓷料共烧时,无机添加剂可以和LTCC瓷料反应实现附着,但是在烧结过程中可能会发生起泡和烧结收缩失配,影响金导体的导电和焊接性能。本文针对金导体中的玻璃和无机物对金导体层和LTCC瓷料反应的影响做了综合性的研究,初步确定金导体层和瓷料的最佳烧结行为,为制备具有良好烧结匹配性、表面缺陷少、有良好附着力和键合性能的金导体浆料提供了一定参考。

微波传输用HTCC金属化钨浆料的研制

研究了高温共烧厚膜导体钨浆料的制备工艺,分析了金属钨粉微观形貌及粒度分布,无机粘结相含量对印刷分辨率、金属化与陶瓷基板的结合强度、金属化层方阻值的影响。为满足微电子封装要求,通过选用粒度小于5μm、表面光滑的球形的两种钨粉进行混合,添加适量无机粘结相和以乙基纤维素为主的有机载体,采用球磨或者三轴研磨机进行有效分散,并将浆料粘度控制在一定范围内,制备出适合100μm线宽/间距精细印刷、金属化与陶瓷基板的结合强度54 MPa、方阻值为6mΩ/□的金属化浆料。将研制的金属化钨浆料应用在作为微波器件封装外壳的信号输入输出端口的陶瓷绝缘子上,在29~31GHz的Ka波段,绝缘子的插入损耗为0.4dB,电压驻波比(VSWR)小于1.15。

球形金粉的化学还原制备及表征

以抗坏血酸(VC)为还原剂,以聚乙烯醇为分散剂还原氯金酸制备金粉,制备得到粒径为1～3μm的高致密球形金粉末。用SEM对所制金粉进行了表征,分析分散剂的不同用量对金粉形貌和粒径的影响,还原剂滴加速度对金粉形貌和粒径的影响。将所制金粉配制成金浆料,丝网印刷高温烧结后,表征金膜特性。结果表明该金粉可用于制备厚膜金导体浆料。

微带隔离器装配工艺研究

分析装配机械应力导致微带隔离器中铁氧体基片出现裂纹甚至断裂的失效机制,给出微带隔离器与其它电路单元连接的几种低应力接头结构,讨论微带隔离器中AgPd厚膜导体在焊接过程中出现熔蚀现象的原因和对策。

异种金属和镀层金属的焊接

采用中断试验方法,研究两种强度相差异种金属摩擦焊的机理,扩大了摩擦焊接的应用范围。研究表明:(l)有保压腔时,塑性变形层最初产生的位置比无保压腔时向外圆移动;(2)相同摩擦位移条件下,有保压腔时塑性变形层向外圆方向的扩展速度比无保压腔时快;(3)给定摩擦压力和相同摩擦位移条件下。

可印刷电子技术(2)

概述了可印刷电子技术的概况,高功能厚膜印刷技术及其应用。