厚膜应变电阻的导电机理研究

制备了不同表面电阻率的Ｒｕ基厚膜应变电阻浆料，研究了厚膜应变电阻的表面电阻率与电阻应变系数之间的关系，并对其导电机理与特性进行了分析。

纳米Al_2O_3掺杂对厚膜应变电阻性能的影响

采用粒子尺寸为８ｎｍ的纳米Ａｌ２Ｏ３作为掺杂改性剂，通过选择合适粒径和配比的导电相、玻璃相及烧结工艺，得到了一种ＧＦ为１３、电阻温度系数小、稳定性良好的钌基厚膜应变电阻，并从厚膜电阻导电机理和纳米材料特性出发，讨论了纳米氧化铝掺杂对厚膜应变电阻应变系数、温度系数、稳定性的影响及其机理。

烧结过程中毛细作用对钌基厚膜应变电阻的影响(英文)

通过应用毛细作用的的基本公式得到钉基厚膜应变电阻烧结阶段的模型。用Bi_2O_3和RuO_2合成Bi_2Ru_2O_7并进行试验,发现方阻随烧结时间和导电相粒径的增大而增大。用该模型解释了该现象,同时解释了导电相不同的体系,应尽导电相含量一样,但方阻不同,以及方阻随玻璃粘度增大而减小。

毛细作用钌基厚膜应变电阻烧结过程中的作用和影响

本文将毛细作用的基本公式应用于钌基厚膜应变电阻的烧结过程,建立厚膜应变电阻玻璃扩散、渗透的数学模型,并用该模型对一些试验现象进行了分析,较好地解释和探讨了导电相粒径、烧结时间等对方阻的影响。

钌基厚膜应变电阻力敏模型的初始讨论(英文)

通过分析钌基厚膜应变电阻的隧道势垒模型,提出力敏模型。用Bi_2O_3和RuO_2合成Bi_2Ru_2O_7并进行试验,发现应变系数随导电相粒径的增大而增大。用力敏模型解释了这一现象,并解释了其他力敏现象,诸如应变系数随势垒高度的增大而增大。

厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响

通过对厚膜电阻导电相、玻璃相的粒径控制、粒径比搭配以及在导电相、玻璃相中掺杂，研制成一种厚膜力敏电阻浆料，其应变系数GF可达15～17、工作温度可达150℃。介绍了厚膜力敏应变系数的测量方法，研究了厚膜电阻材料的物化特性对钌系厚膜电阻应变系数的影响，探讨了提高应变系数的技术途径，同时，对其导电机理作了简要的阐述。

新型应变式厚膜力传感器及其应用

介绍一种可用于称重与测力的电阻应变式厚膜力传感器.其弹性体采用95%Al_2O_3陶瓷双孔梁、应变电阻为钌酸盐厚膜应变电阻,并运用厚膜工艺将应变电阻直接印刷、烧结在弹性体上而形成整体.它的量程最高达500N,精度为0.05%,工作温度达-40～+120℃.

陶瓷厚膜力敏传感器

介绍采用厚膜工艺技术制作陶瓷力敏传感器,详细叙述圆膜片式压力传感器和陶瓷双孔梁式力传感器的工作原理、主要性能、结构设计、制作工艺,展望其应用前景.