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超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路
1
作者
张汝京
杨士宁
刘越
《中国集成电路》
2003年第46期69-72,共4页
本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件...
本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的 CMOS 电路必须与 logic 电路相兼容。其主动元件或称有源元件(Active Devices)
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关键词
超深亚微米
VDSM
数模混合电路
射频电路
电容器
电阻器
NMOS变容器
厚金属薄膜电感器
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职称材料
题名
超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路
1
作者
张汝京
杨士宁
刘越
机构
中芯国际
中芯国际逻辑技术发展及制造中心
北京大学
出处
《中国集成电路》
2003年第46期69-72,共4页
文摘
本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的 CMOS 电路必须与 logic 电路相兼容。其主动元件或称有源元件(Active Devices)
关键词
超深亚微米
VDSM
数模混合电路
射频电路
电容器
电阻器
NMOS变容器
厚金属薄膜电感器
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
F426.6 [经济管理—产业经济]
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题名
作者
出处
发文年
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1
超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路
张汝京
杨士宁
刘越
《中国集成电路》
2003
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