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超深亚微米(VDSM)Foundry(二)——数模混合电路和射频电路
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作者 张汝京 杨士宁 刘越 《中国集成电路》 2003年第46期69-72,共4页
本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件... 本刊特约中芯国际张汝京总裁等为本刊撰写了系列文章,介绍中芯国际目前已具备的工艺手段和所达到的技术水准。其它公司的情况,本刊将陆续发表,以飨读者。 1.数模混合电路(MS-Mixed Signal)和射频电路(RF-Radio Frequency)中的主动元件和被动元件。数模混合电路和射频电路中的 CMOS 电路必须与 logic 电路相兼容。其主动元件或称有源元件(Active Devices) 展开更多
关键词 超深亚微米 VDSM 数模混合电路 射频电路 电容器 电阻器 NMOS变容器 厚金属薄膜电感器
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