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题名厚铝刻蚀残留问题的解决方案
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作者
王骏杰
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机构
交通大学
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出处
《中文科技期刊数据库(全文版)工程技术》
2016年第9期307-308,共2页
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文摘
传统的顶层铝刻蚀工艺主要用于形成铝块(PAD),形成的铝结构最终用于外接电路的连接窗口;针对客户的需求,减少工艺流程,增加成本优势,在12英吋晶圆顶层铝刻蚀工艺中,在形成铝块(PAD)的同时还需要形成电容、电感等器件结构,这使得铝刻蚀工艺有了更高的要求(密集的排线、更高的深宽比等);在实际的产品设计时,为了更好的性能需求,某些局部区域尺寸设计超出设计规范,需要通过工艺调整来满足设计需求。本文将简要介绍在厚铝刻蚀中,由于产品尺寸结构超出设计规范而造成的厚铝刻蚀残留问题,以及解决这一问题的方案。
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关键词
厚铝刻蚀工艺
设计间距
刻蚀残留
过刻蚀
选择比
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分类号
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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