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分子镀法制备厚镅(^(241,243)Am)靶
被引量:
6
1
作者
秦芝
郭俊盛
甘再国
《同位素》
CAS
2000年第4期209-214,共6页
研究了异丙醇 -硝酸介质中镅 ( 2 4 1,2 4 3Am)的分子镀过程和实验条件。在保持电压为 550 V、电流密度为 4~ 6m A/ cm2 的条件下电镀 1h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔 (厚度 7μm)衬底材料上制备出厚度为 0 .6~ 1.2 mg/ cm2的 2 4...
研究了异丙醇 -硝酸介质中镅 ( 2 4 1,2 4 3Am)的分子镀过程和实验条件。在保持电压为 550 V、电流密度为 4~ 6m A/ cm2 的条件下电镀 1h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔 (厚度 7μm)衬底材料上制备出厚度为 0 .6~ 1.2 mg/ cm2的 2 4 1,2 4 3Am靶。
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关键词
分子镀
厚镅靶
制备
超重核
放射性同位素
镅
下载PDF
职称材料
题名
分子镀法制备厚镅(^(241,243)Am)靶
被引量:
6
1
作者
秦芝
郭俊盛
甘再国
机构
中国科学院近代物理研究所
出处
《同位素》
CAS
2000年第4期209-214,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目!(19775 0 5 3)
中国科学院留学经费择优支持回国工作基金
"国家重点基础研究发展规划"资助项目!(G2 0
文摘
研究了异丙醇 -硝酸介质中镅 ( 2 4 1,2 4 3Am)的分子镀过程和实验条件。在保持电压为 550 V、电流密度为 4~ 6m A/ cm2 的条件下电镀 1h,通过一次分子镀过程就能在薄铝箔 (厚度 7μm)衬底材料上制备出厚度为 0 .6~ 1.2 mg/ cm2的 2 4 1,2 4 3Am靶。
关键词
分子镀
厚镅靶
制备
超重核
放射性同位素
镅
Keywords
molecular plating method
thicker americium targets
241,243 Am
分类号
O571.6 [理学—粒子物理与原子核物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
分子镀法制备厚镅(^(241,243)Am)靶
秦芝
郭俊盛
甘再国
《同位素》
CAS
2000
6
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职称材料
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