α+^(209)Bi反应激发函数及厚靶产额计算

^(211)At是理想的靶向α治疗核素,^(209)Bi(α,2n)^(211)At是产生该放射性核素的重要核反应,精确可靠的核反应数据对于^(211)At核素生产具有重要意义。^(209)Bi(α,3n)^(210)At反应产物^(210)At核素会衰变为剧毒的^(210)Po核素,掌握该反应信息也有助于安全有效提取^(211)At产物。为获得上述反应相关信息,对国际核反应实验数据库(EXFOR)中相关实验测量数据进行了收集分析,使用EMPIRE程序,基于选取的合理光学模型势与能级密度参数对上述反应的激发函数进行了计算。通过理论计算结果与实验数据的比对,得到了^(209)Bi(α,2n)^(211)At、^(209)Bi(α,3n)^(210)At反应激发函数。在此基础上,计算了^(211)At核素和^(210)At核素的厚靶产额。最后得到了入射能量小于50 MeV能区范围内^(209)Bi(α,2n)^(211)At、^(209)Bi(α,3n)^(210)At反应激发函数推荐值及^(211)At(医用放射性同位素)和^(210)At(衰变子体为长寿命极毒性核素^(210)Po)的厚靶产额推荐评价结果。^(210)At核素厚靶产额计算结果表明,生产^(211)At核素过程中,入射α粒子能量需低于29 MeV。此条件下^(210)At与^(211)At厚靶产额比小于10^(-5),满足国际放射防护委员会规定的职业摄入量,符合^(211)At后续标记的要求。

EFP对有限厚靶板侵彻过程及后效研究

描述了爆炸成型弹丸(explosive formed projectile,EFP)对有限厚靶板的侵彻过程,建立了计算EFP对有限厚靶板侵彻过程参数的一维分析模型。基于该模型编制了程序代码,对EFP侵彻有限厚靶板的后效参量及极限穿透速度进行了计算,并和试验结果进行了比较。证明该模型能较准确地对EFP侵彻有限厚靶板后效参量进行计算。

加速器驱动次临界系统的中高能质子轰击厚靶中子学实验研究

利用俄罗斯杜布纳联合核子研究所的高能加速器进行加速器驱动次临界系统 (ADS)靶区中子学研究。用 0 .5 33、1 .0、3.7和 7 4GeV质子轰击U(Pb)、Pb和Hg靶的测量结果表明 :U(Pb)和Pb与Hg靶的中子产额比分别为 ( 2 0 1± 0 1 0 )和 ( 1 76± 0 33) ,从获得较强中子的角度看 ,Hg作为ADS靶是不利的 ;沿厚 2 0cm靶的中子产额随入射质子穿透深度增大而下降 ,质子能量越低 ,中子产额下降越快 ,为在较大厚度范围内获得较均匀的中子场 ,质子能量不应低于 1GeV ;不同能量质子产生的次级中子能谱相近 ,但随质子能量提高 ,较高能量中子的比例逐渐增大。

高速杆式弹侵彻有限厚靶板数值模拟

运用AUTODYN动力学仿真软件对高速(1.2～3km/s)杆式弹侵彻有限厚靶进行数值模拟。分别计算了Lagrange算法和SPH算法以及不同计算规模下,杆式弹高速侵彻过程,对比分析了侵彻后效的工程计算结果,并研究了不同着速、着靶角和弹丸头部形状对弹丸侵彻后效的影响。算法分析表明,拉氏算法可以更好模拟侵彻界面变化,SPH则可以更好模拟材料破碎飞溅;Lagrange算法0.75mm网格和SPH算法0.5mm粒度即可满足算例问题的计算精度。并指出对高速杆式弹的侵彻研究和设计需要根据着速等初始状态的不同而综合考虑。

单次分子镀法制备Sm和Eu厚靶

研究了在异丙醇-硝酸体系中单次分子镀流程制备Sm和Eu厚靶的实验条件。确定了在20μm铍箔上进行Sm和Eu分子镀实验的最佳工艺条件为:两极间距3cm,电流密度3.8mA/cm2,分子镀过程持续1h。用分光光度法测定了分子镀的沉积效率均高于95%,所制备Sm和Eu靶膜的厚度分别在1.6和1.5mg/cm2。

厚靶D(d,n)~3He反应加速器中子源的产额、能谱和角分布(英文)

给出一种计算氘钛厚靶D(d,n)3He反应加速器中子源的产额、能谱和角分布的方法,并发展了一个计算机模拟程序,程序能够计算氘束流能量小于1.0 MeV的中子源的产额、能谱和角分布.计算时使用推荐的D(d,n)3He反应截面数据和来自SRIM-2003程序的氘在氘钛靶中的阻止本领数据.给出一些典型计算结果,包括中子积分产额、中子能谱和角分布.

伸出式侵彻体斜侵彻有限厚靶板数值模拟

文中进行了伸出式侵彻体斜侵彻有限厚靶板的试验,利用有限元程序LS-DYNA对伸出式侵彻体侵彻有限厚靶进行了三维数值模拟,从靶后动能的角度和同质量同外径的基准杆的侵彻能力做了比较。分别描述了伸出式侵彻体和基准杆侵彻靶板的物理图像,得出了侵彻体动能随时间的变化规律。结果表明在整个火炮初速范围内,伸出式侵彻体的动能下降率要小于基准杆;在低速段,伸出式侵彻体相对于基准杆的优势不是很明显,但随着撞击速度的增大,伸出式侵彻体的靶后动能优势较为明显,而且靶后动能的增益随侵彻速度的增加而增加。

产生放射性核束的厚靶的物理设计

介绍用来产生放射性核束的厚靶的物理设计过程，提出对靶材料特性和温度条件的严格要求，列举了几种候选靶材，设计了１个石墨靶衬并合理安排靶的水冷散热结构，计算了厚靶的三维温度分布情况。计算结果表明：此厚靶完全能够承受最高达１４ｋＷ的质子束入射束流功率，靶的温度可以根据不同要求控制在１３００—２０００℃。

大长径比钨合金杆对有限厚靶侵彻规律的实验研究

介绍了用不同长径比的钨合金杆侵彻不同厚度、不同倾角有限厚板的模拟实验。根据模拟实验结果，获得了大长径比钨合金杆贯穿透速度的定量关系。这些关系式具有工程应用价值。同时，强调了长杆体对有限厚靶贯穿有限厚靶时，其贯穿厚度与靶板倾角，极限穿能力的评价方法。

中子核反应截面测量中的厚靶技术

在核反应截面测量实验中使用厚靶技术，对厚靶测量谱进行解谱，得到等效薄靶的结果。用该方法大大提高了事件的计数率，明显地减少了统计误差。

^(18)O离子轰击厚靶的中子剂量学参数

用阈探测器活化法测量了每个核子动能（简称单核能）为５０ＭｅＶ１８Ｏ离子轰击厚靶（Ｂｅ、Ｃｕ、 Ａｕ）时出射中子的能量分布、注量率分布和中子角分布，得到了１８Ｏ离子的中子产额、前向中子发射率和中子剂量当量率分布的数据。并与国外报道的单核能在２０ＭｅＶ 以下的低能重离子轰击厚靶研究中得到的中子剂量学参数进行了比较和分析。

冲击加载下厚靶后表面早期几何变形特征分析

通过数值模拟研究了厚靶后表面在冲击加载下早期的几何变形特征,计算结果表明:厚靶变形存在一个由前凸型翻转为内凹型的时间窗口期,与传统研究薄靶的前凸型几何变形存在差异。结合电探针阵列测试方法获得的实验结果,从一个方面解释了工程实验中重复性不强的原因,因为这个窗口期非常敏感,与电探针阵列与后表面的距离密切相关。

多层不均匀厚靶μ─PIXE谱的计算机模拟

主要论述一个用于多层不均匀厚靶μＰＩＸＥ分析谱的模拟的计算机软件。该软件用Ｃ语言编写而成、有较好的用户界面窗口、操作方便。该软件可对样品根据其层数和所包含的包裹的数目及形状进行定义，可完成二维和线扫描的Ｘ射线强度分布的计算。给出了对铜网格的模拟计算及与实验结果比较，并给出了对一简单包裹体的模拟结果。该软件还可用于厚靶微米ＰＩＸＥ的定量分析。

^(186)W(d,p)^(187)W和^(186)W(d,2n)^(186)Re反应激发函数评价及厚靶产额计算

考虑特征γ射线分支比、衰变常量和标准截面等修正,对氘引起的核反应^(186) W(d,p)187 W和^(186) W(d,2n)^(186) Re的激发函数进行了研究。收集并分析了这些反应激发函数的实验测量数据,应用数学方法对分析处理后的实验数据进行了拟合。同时,采用TALYS程序对这些激发函数进行了理论计算。经过综合评价,给出了50 MeV以下^(186) W(d,p)187 W和^(186) W(d,2n)^(186) Re反应激发函数的推荐值,利用得到的^(186) W(d,2n)^(186) Re激发函数推荐值计算了医用放射性核素^(186) Re的厚靶产额。

无限厚靶向理想薄靶的转换

提出了一种简单的背散射处理方法，将无限厚靶转换成理想薄靶．该方法无需模拟背散射谱的形状，即可求出未知样品中各成分的相对含量．对于卢瑟福散射和弹性共振散射同样有效．并用氧化铜和氧化钛混合配制了系列标样予以检验。

厚靶轫致辐射在粒子输运模拟中的实现与验证

为提升自行开发的粒子输运蒙特卡罗模拟软件PHEN对电子输运模拟的处理能力,根据厚靶轫致辐射(thick-target bremsstrahlung,TTB)模型,在PHEN中加入了自编的TTB模块,分析了加入TTB模块后PHEN的模拟计算速度、TTB模块生成的轫致辐射光子能量及TTB模块模拟电子输运的适用范围。通过与MCNP中轫致辐射截面及电子射程的对比,验证了TTB模块模拟电子输运的正确性。计算了加入TTB模块前后正电子湮没峰计数的变化,用于判断使用TTB模块模拟的合理性。计算结果表明:当材料尺寸小于电子在材料中的射程时,TTB模型不考虑电子输运的计算结果是不合理的,应采用压缩历史算法处理电子输运;当材料尺寸大于电子在材料中的射程时,TTB模型计算速度快,计算结果与压缩历史算法的计算结果吻合较好,可用厚靶轫致辐射处理电子输运。

长杆弹垂直侵彻半无限厚靶板的简化模型

本文对长杆弹垂直侵彻半无限厚靶板的主要现象和过程作了分析。考虑了弹杆在侵彻过程中的破碎以及弹、板的材料性质对侵彻过程的影响,建立了一个垂直侵彻的简化计算模型,定量地描述了在侵彻半无限厚板的过程中弹杆的速度、长度和穿深的变化规律。研究的速度范围是900～1600米/秒。计算和实验结果符合较好。

^(186)W(p,n)^(186)Re^g的激发函数和厚靶产额的计算

为计算^(186)W(p,n)^(186)Re^g反应的激发函数,收集了EXFOR实验数据库中的一些实验数据并对其进行了分析修正。将修正过的实验数据与EMPIRE程序理论计算得到的数据进行了比对,以此来选择合适的光学模型势和能级密度参数,给出了^(186)W(p,n)^(186)Re^g反应截面的推荐值。利用得到的激发函数计算了医用放射性核素186 Reg的厚靶产额,并给出了相应的推荐值。

在厚靶分析中外标法的表面形状校正

在厚靶的非破坏性X射线荧光分析中,以钇做外标元素,研究了不同样品形状及与源、探测器距离不同时,引起接收到元素荧光强度差异的校正方法。给出了对不同形状瓷片中元素特征峰计数校正前后的比较。探讨了此种方法带入的测量误差。

X射线轫致辐射厚靶模型的改进及其在太阳耀斑观测中的应用

本文主要讨论对不同电离度分布厚靶模型的改进以及在耀斑X射线观测中推导非热电子、电离度和靶密度分布的应用．