原位无压反应烧结制备SiC-MoSi_2复合材料及其性能研究

利用原位无压反应烧结方法制备了不同配比的SiC/MoSi2复合材料,分析了烧结工艺对产物的影响,研究了原位生成的SiC颗粒对MoSi2基体材料室温力学性能和显微结构的影响。结果表明:原位反应烧结制备SiC/MoSi2的工艺是可行的,反应生成的适量SiC颗粒细化了基体晶粒,改善了其力学性能;与该工艺下制备的纯MoSi2相比,含10%SiC的SiC/MoSi2复合材料室温抗弯强度提高了181%,该复合材料的强化机制为细晶强化和弥散强化,韧化机制为细晶增韧和裂纹偏转。

三维网络多孔陶瓷/金属复合材料的研究新进展

三维网络多孔陶瓷/金属双(共)连续相复合材料(C4材料)具有各向同性和正向加合性质,在摩擦器件和制动元件、电子封装材料及散热器件、航空航天器件、光学仪表材料、运动器械等领域具有广阔的应用前景。本文较为详细地介绍了C4材料的各种制备技术,并对比了它们的优缺点,在此基础上,重点阐述了本课题组提出的原位反应无压浸渗新工艺和最新研究进展,并对C4材料的未来发展趋势进行了展望。