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感应加热辅助原位合成Ti_3SiC_2连接SiC陶瓷 被引量:4
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作者 韩绍华 薛丁琪 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期61-66,共6页
采用感应加热的方式引燃Ti-Si-C(摩尔比3∶1∶2)及Ti-Si-C-Al(摩尔比3∶1∶2∶0.1)体系的自蔓延燃烧反应并实现了SiC陶瓷间的连接.通过对不同工艺参数下生成产物中Ti3SiC2相的相对含量的分析,初步优选出最佳工艺参数为50 A感应电流下加... 采用感应加热的方式引燃Ti-Si-C(摩尔比3∶1∶2)及Ti-Si-C-Al(摩尔比3∶1∶2∶0.1)体系的自蔓延燃烧反应并实现了SiC陶瓷间的连接.通过对不同工艺参数下生成产物中Ti3SiC2相的相对含量的分析,初步优选出最佳工艺参数为50 A感应电流下加热、30 A感应电流下保温30 min以及1 MPa的连接压力,得到的SiC/TSC/SiC和SiC/TSC-Al/SiC接头平均抗剪强度分别为32.9和66.8 MPa.微观结构和成分分析的结果表明,SiC/TSC/SiC及SiC/TSC-Al/SiC接头处均显示出良好的界面结合,无明显气孔或裂纹等缺陷.XRD的物相分析结果表明,SiC/TSCAl/SiC接头的中间层产物中主要含有Ti_3SiC_2相及少量Ti C和Ti-Si的化合物;而SiC/TSC/SiC接头则主要以Ti C为主,这就导致了前者的平均抗剪强度超过了后者的两倍. 展开更多
关键词 感应加热 TI3SIC2 原位连接 SIC
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