HL—1M装置第一壁锂—硅复合涂层及其对等离子体性能的影响

最近在HL－1M装置上新开发出一种第一壁原位锂－硅复合涂覆技术，涂覆后，装置真空室内的真空度上升，杂质气体分压强下降，低于单一的硅化和锂涂覆，在相同参数的放电下与原位硅化比较：托卡马克放电中等离子体中碳，氧杂质浓度下降30％，尤其是碳杂质随等离子体米幅度上升而下降得更显著；等离子体能量辐射损失降低25％；同时，等离子体边缘温度和密度有所降低，表明等离子体内部约束得到改善，这些结果略好于或者与单一原位锂涂覆相同，但是这种复合涂层的效果却维持100余次托卡马克放电，较单一原位锂涂层提高了一个数量级，实验证明了这种锂－硅复合涂覆技术卓越的性能。