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多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯高介电常数复合材料的制备与性能
被引量:
18
1
作者
王金龙
王文一
+4 位作者
史菁元
李艳玲
高宁宁
刘正鑫
连伟涛
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1355-1360,共6页
为制备具有高介电常数的复合材料,采用注射成型法制备了原始多壁碳纳米管(P-MWCNTs)/聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料和石墨化多壁碳纳米管(G-MWCNTs)/PVDF复合材料。然后,对P-MWCNTs和G-MWCNTs进行了Raman光谱表征,对MWCNTs/PVDF复合材料进...
为制备具有高介电常数的复合材料,采用注射成型法制备了原始多壁碳纳米管(P-MWCNTs)/聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料和石墨化多壁碳纳米管(G-MWCNTs)/PVDF复合材料。然后,对P-MWCNTs和G-MWCNTs进行了Raman光谱表征,对MWCNTs/PVDF复合材料进行了断面形貌、力学性能和电学性能测试。结果表明:G-MWCNTs比P-MWCNTs具有更高的纯度和结晶度,两种不同的MWCNTs都能均匀分散在PVDF基体中,添加MWCNTs会显著影响PVDF的力学行为。MWCNTs/PVDF复合材料的介电性能随MWCNTs含量的增加而提高,与P-MWCNTs相比,G-MWCNTs有效降低了复合材料的渗流阈值。当频率为100 Hz时,纯PVDF的介电常数为7.0;当P-MWCNTs的含量为5wt%时,复合材料的介电常数为23.8;当G-MWCNTs的含量为5wt%时,复合材料的介电常数高达105.0。注射成型法制备的MWCNTs/PVDF复合材料仍保持相对较低的电导率,进而导致复合材料的能量损耗较低,对电荷存储应用具有重要意义。
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关键词
原始多壁碳纳米管
石墨化
多壁
碳纳米管
聚偏氟乙烯
介电性能
复合材料
原文传递
题名
多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯高介电常数复合材料的制备与性能
被引量:
18
1
作者
王金龙
王文一
史菁元
李艳玲
高宁宁
刘正鑫
连伟涛
机构
天津工业大学材料科学与工程学院
出处
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1355-1360,共6页
基金
国家自然科学基金(21206120)
化学工程联合国家重点实验室开放课题(SKL-ChE-14A03)
文摘
为制备具有高介电常数的复合材料,采用注射成型法制备了原始多壁碳纳米管(P-MWCNTs)/聚偏氟乙烯(PVDF)复合材料和石墨化多壁碳纳米管(G-MWCNTs)/PVDF复合材料。然后,对P-MWCNTs和G-MWCNTs进行了Raman光谱表征,对MWCNTs/PVDF复合材料进行了断面形貌、力学性能和电学性能测试。结果表明:G-MWCNTs比P-MWCNTs具有更高的纯度和结晶度,两种不同的MWCNTs都能均匀分散在PVDF基体中,添加MWCNTs会显著影响PVDF的力学行为。MWCNTs/PVDF复合材料的介电性能随MWCNTs含量的增加而提高,与P-MWCNTs相比,G-MWCNTs有效降低了复合材料的渗流阈值。当频率为100 Hz时,纯PVDF的介电常数为7.0;当P-MWCNTs的含量为5wt%时,复合材料的介电常数为23.8;当G-MWCNTs的含量为5wt%时,复合材料的介电常数高达105.0。注射成型法制备的MWCNTs/PVDF复合材料仍保持相对较低的电导率,进而导致复合材料的能量损耗较低,对电荷存储应用具有重要意义。
关键词
原始多壁碳纳米管
石墨化
多壁
碳纳米管
聚偏氟乙烯
介电性能
复合材料
Keywords
pristine multi-walled carbon nanotubes
graphitized multi-walled carbon nanotubes
poly(vinylidenefluoride)
dielectric properties
composites
分类号
TB332 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多壁碳纳米管/聚偏氟乙烯高介电常数复合材料的制备与性能
王金龙
王文一
史菁元
李艳玲
高宁宁
刘正鑫
连伟涛
《复合材料学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
18
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