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题名基于纠错码理论的测定光盘原始误码率的研究
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作者
忻鼎稼
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机构
复旦大学
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出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
1997年第A10期51-51,57,共2页
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基金
国家自然科学基金项目编号:69277024
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文摘
1.基于纠错码理论的新概念和测定方法原始误码率传统的定义是误码总数与被测码位总数之比(称为统计定义),此定义只涉及误码总数而与误码的分布状态无关,于是对大容量存储体(如光盘)的批量生产的质量控制和光盘系统的可靠性设计失去指导意义,本研究以项目主持人关于Reed-Solomon码的码字分布理论为基础,从分析误纠发生的统记现象入手,提出误码率的非统计定义和测定方法。 a)误码率的非统计定义:记M为存储体的容量,{C(n_i+r,n_i)
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关键词
光盘
原始误码率
纠错码
测定
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分类号
TP333.43
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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题名多电平闪存信道下阈值电压高效检测算法
被引量:1
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作者
范正勤
韩国军
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机构
广东工业大学信息工程学院
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出处
《应用科技》
CAS
2019年第5期57-62,共6页
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基金
国家自然科学基金项目(61471131)
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文摘
针对高密度NAND闪存阈值电压检测时读操作带来的时延问题,提出一种改进的低时延重读机制。首先,基于电压重叠区原始误码率的分布特性,引入三分法的思想以逐步降低电压检测的范围。其次,该方案每一次缩小电压检测范围时只需要更新一次读操作。仿真结果表明相对于传统的重读机制,该优化方案不仅可以保证数据存储的可靠性,同时也极大地降低读时延。
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关键词
阈值电压检测
NAND闪存
重读机制
原始误码率
电压重叠区
读电压优化
读时延
数据存储
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Keywords
threshold-voltage detection
NAND flash memory
read-retry mechanism
raw bit error rate
voltage overlapregion
read voltage optimization
read latency
data storage
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分类号
TN919.5
[电子电信—通信与信息系统]
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