原子层沉积技术应用研究进展

原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保形性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。本文重点分析了原子层沉积技术的应用研究进展。

原子层沉积实验平台设计与教学应用

培养学生的创新思维和动手能力是新能源材料与器件专业的主要任务之一.原子层沉积技术因沉积厚度精确可控、共形性强等独特优势被广泛应用于电极材料及器件的改性.设计了一套原子层沉积技术教学平台,涵盖了原子层沉积技术的原理、优势及其在储能材料与器件领域的应用等多个单元,加强学生对储能材料与器件的认识,全面提升学生的科研能力,培养新能源材料与器件专业型人才.

原子层沉积技术在含能材料表面修饰中的应用研究进展

介绍了原子层沉积技术的原理和特点,并对比传统物理及化学气相沉积薄膜制备工艺,总结了原子层沉积技术在含能材料合成及表面修饰改性方面所具有的薄膜厚度精确可控、工作温度低和大面积及三维均匀性方面的优势。综述了原子层沉积技术在亚稳态分子间复合物合成,降低金属粉和炸药感度,以及提高铝粉、氢化铝和ADN稳定性等方面的研究进展。评述了原子层沉积技术在含能材料精确合成及表面修饰中的主要作用及未来发展方向。附参考文献29篇。

原子层沉积技术合成氧化铝薄膜包覆二硝酰胺铵

通过原子层沉积(ALD)技术以三甲基铝和水作为前驱体在二硝酰胺铵(ADN)表面沉积氧化铝包覆膜。分别采用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)对包覆后ADN的表面形貌、化学成分进行了分析,通过蒸汽吸附分析仪(VSA)对包覆氧化铝薄膜的ADN样品进行了吸湿性测试,并且对ADN表面氧化铝薄膜生成机理进行了探讨。结果表明:ALD氧化铝薄膜对ADN表面形成了完整的包覆,薄膜厚度最高可达数百纳米。包覆有ALD氧化铝薄膜的ADN样品暴露在潮湿空气中48 h形貌不发生明显变化。在25℃,湿度70%的环境条件下,VSA测得包覆200和400周期氧化铝薄膜的ADN吸湿率分别为40.99%和40.75%。以上研究结果表明,尽管ALD氧化铝对ADN表面实现了完整包覆并在潮湿空气中维持了样品形貌,被包覆的ADN样品吸湿性尚未获得明显改善。

应用材料公司推出面向3D设备的高性能原子层沉积(ALD)技术

应用材料公司宣布推出全新的Olympia原子层沉积系统。该系统采用独特的模块化架构，为先进3D内存和逻辑芯片制造商带来了高性能ALD技术。3D设备的兴起推动了对新型图形转移薄膜和新共型材料的需求，以及降低材料热预算的要求。

应用材料公司推出面向3D设备的高性能原子层沉积(ALD)技术

应用材料公司日前宣布推出全新的Olympia^TM原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）系统。该系统采用独特的模块化架构，为先进3D内存和逻辑芯片制造商带来了高性能ALD技术。3D设备的兴起推动了对新型图形转移薄膜和新共型材料的需求，以及降低材料热预算的要求。在这一背景下，ALD技术得到了迅速发展。Olympia系统可以在不牺牲ALD沉积性能的前提下，充分满足所有这些要求，从而解决行业挑战，并具有极高的工艺灵活性，可精确设计并有效沉积各类低温、高品质薄膜材料，适合众多应用领域。

原子层沉积技术在电池能源领域的应用及展望

随着能源危机和环境污染等问题的不断加剧,如何利用新一代能源材料实现二次能源技术的发展成为当前阶段业界重点关注的话题。原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)能够根据实际需求实现材料沉积及表面改性,在此支持下沉积而出的薄膜表现出细致、均一和精密的优势。在金属单质、金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物薄膜材料的制备中应用此技术方法对于制备材料的应用性能有着良好保障。本文首先对ALD的相关原理做出简要介绍,接着以锂硫电池为例就ALD在电池能源领域的应用进行分析,最后展望了ALD在能源存储和转化材料等领域的应用前景,以期为同类型工作提供一定的借鉴和参考。

原子层沉积技术研究及其应用进展

原子层沉积(ALD)技术是制备复杂纳米结构材料以及材料表面改性的关键技术,该技术已得到了国内外学术界的大量研究。简单介绍了ALD技术、沉积过程、该技术的优点以及该技术可以沉积的薄膜材料,重点论述了ALD技术的应用进展,主要包括半导体方面(如IC互连技术、电容器、太阳电池晶体硅表面钝化)以及纳米结构材料方面(如催化剂与燃料电池、光催化、太阳电池、分离膜)。最后,指出了目前ALD在材料制备和生产工艺方面所面临的挑战,并对其未来发展进行了展望。

原子层沉积技术的发展现状及应用前景

随着微电子行业的发展,集成度不断提高、器件尺寸持续减小,使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战,然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术,因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好,还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分,仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。本文简要介绍了ALD技术的原理、沉积周期、特征、优势、化学吸附自限制ALD技术和顺次反应自限制ALD技术及ALD本身作为一种技术的发展状况(T-ALD,PEALD和EC-ALD等);重点叙述了ALD技术在半导体领域(高k材料、IC互连技术等)、光学薄膜方面、纳米材料方面、催化剂的应用和新成果。最后,对ALD未来的发展应用前景进行了展望。

原子层沉积技术制备金属材料的进展与挑战

原子层沉积(ALD)技术是一种三维共形沉积金属薄膜或金属纳米结构的有效手段。简要介绍了ALD技术的基本原理和特点,着重阐述和比较了ALD生长贵金属、过渡金属和活泼金属的不同工艺条件、化学过程和反应生长机理,如贵金属的燃烧反应与成核孕育期、过渡金属铜互连的前驱体与表面平整性以及活泼金属的能量辅助沉积,探讨了前驱体、成核等对金属沉积和质量的重要影响,说明了原位监控手段在生长中的作用。最后简述了ALD沉积金属面临的瓶颈,由于一些重要金属前驱体的匮乏,新的反应路径和生长机理亟待发现,并展望了其未来发展和应用前景。

原子层沉积技术在微纳器件中的应用研究进展

原子层沉积(ALD)是一种新型的精确表层薄膜制备技术,具有沉积面积大、薄膜均匀、膜厚纳米级可控生长、低温性等特点,适用于纳米多孔和高深宽比基底材料,可应用于三维微纳结构器件的功能薄膜材料制备,广受国内外学术界和工业界的关注。综述了ALD技术发展历史和技术原理,介绍了ALD技术在微纳器件中的应用进展,涉及半导体微纳集成电路、微纳光学器件、微纳米生物医药等高新技术领域,对ALD技术当前存在的问题进行了分析,并展望了未来发展方向。

原子层沉积技术发展概况

主要介绍了原子层沉积技术的历史背景、原理(包括两种自限制的反应机制、前驱体的要求与分类)以及原子层沉积本身作为一种涂层制备技术的特征和优势。重点叙述了近年来原子层沉积技术在设备和工艺方面的发展状况和最新研究成果。最后,对原子层沉积技术的发展与前景分别进行了总结和展望。

原子层沉积技术对纤维素膜功能化的影响

为扩大纤维素膜的使用范围,使其可应用于医用、建筑等领域,利用纳米氧化锌具有紫外线屏蔽、抗菌等特性,采用原子层沉积(ALD)技术在纤维素膜表面沉积纳米氧化锌,制备具有紫外线阻隔以及抗菌功能的纤维素膜,并探讨不同ALD温度和循环次数对纤维素膜性能的影响。借助紫外分光光度计、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、热重分析仪等对纤维素膜的结构和性能进行分析。结果表明:随着ALD温度和循环次数的增加,纤维素膜的紫外线透过率由74.50%下降至1.46%;ALD功能化纤维素膜对金黄色葡萄球菌的抑菌率高达99.9%;经改性的纤维素膜表面附着了六方晶系纤锌矿结构的纳米氧化锌层,残碳率由16.61%增加至31.20%。

原子层沉积技术生长单质钨薄膜

采用热型原子层沉积(ALD)技术在单晶硅基底上成功制备了单质钨薄膜。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、掠入射X射线衍射仪(GIXRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)、四探针测试仪对样品的生长速率、晶体结构、薄膜成分以及电阻率进行了表征和分析。结果表明,热型原子层沉积技术生长单质钨薄膜的温度窗口为200~250℃,生长的薄膜呈多晶态,由较小粒径的颗粒组成,具有(210)晶面择优取向。XPS测试表明薄膜中W 4f、W 4f及W 5p_(3/2)的特征峰分别位于31.5~31.6、33.5~33.7及36.9~37.1 eV结合能位置处,主要含有W、C、O等元素。生长的单质钨薄膜为β相钨,电阻率为1.6×10^(-4)~3.0×10^(-4)Ω·cm。

原子层沉积技术在能源存储和转换材料中的应用

为了应对日益加重的能源危机和环境污染问题,二次能源技术得到了越来越多的重视,发展新一代能源材料是其中的关键。原子层沉积技术(Atomic Layer Deposition,ALD)是一种有效的材料沉积和表面改性技术。ALD技术在基底表面沉积的薄膜具有致密、均一的特点,并且能够有精确控制微纳米级至亚纳米级厚度的薄膜的生长。该技术能够制备多种具有优良特性的金属单质、金属氧化物、金属硫化物、金属氮化物薄膜材料,因而在众多方面得到了研究应用。本文简要介绍了原子层沉积技术的相关原理,在锂离子电池、锂硫电池和燃料电池方面的应用成果,并对原子层沉积技术在能源存储和转化材料中的应用前景进行了展望。

原子层沉积技术在光学薄膜制备中的应用综述

光学薄膜技术在快速发展的同时,遇到了无法实现某些高性能薄膜等问题。原子层沉积技术具有良好的台阶能力、精确控制膜层厚度以及组分等优点,在光学与光电子薄膜领域具有广泛的应用潜力,正在从实验室走向工业界。

原子层沉积技术发展现状

复杂的非平面结构基板形貌对传统的薄膜沉积技术产生了极大的挑战,不同类型的集成电路器件需要不同的生产技术,同时也对薄膜材料提出了不同的要求。为了突破现有材料的性能限制就要求开发具有更高性能的材料。原子层沉积(ALD)是一种可足以应对这些挑战的独特技术,它所沉积的薄膜具有极佳的均匀性、台阶覆盖率和(对薄膜图形的)保形性。介绍了原子层沉积技术原理、新一代逻辑组件所面临的课题、原子气相沉积技术AVD及原子层沉积设备现状。

山西煤化所利用原子层沉积技术设计制备出新型纳米催化剂

原子层沉积（atomic layer deposition,ALD）是一种先进的薄膜沉积技术。利用ALD的技术特点和优势,可设计合成新型高效纳米催化剂,并可精确地调控催化剂的表界面结构。中国科学院山西煤炭化学研究所煤转化国家重点实验室研究员覃勇带领的研究团队,

SWAGELOK半导体服务公司推出全新原子层沉积(ALD)工艺用阀

Swagelok半导体服务公司(SSSC)向半导体产业推出一款全新的阀产品。目前在Swagelok公司的独立销售网络和服务中心均有销售的SwagelokALD系列阀是应用于原子层沉积(ALD)工艺的超高纯度气动阀。ALD技术是半导体产业的一项新兴沉积技术。