哀牢山铗捕小兽群落元素现存量与原子比率

本文分析,计算了中华姬鼠和中华鼩(?)的氮、磷、钾、钠、钙、镁、钡、铝、铁、铜和锌的含量及原子比率。发现除氮外,其它元素含量均有种间差异。此外,估算了10个元素的现存量。

化学键参数和原子半径差与BMG合金的GFA关系

综合大块金属玻璃 (BMG)的研究成果 ,用加权平均原则计算大块金属玻璃的原子半径差比率Δd、原子电负性差比率Δe以及离子率v三个物理参数 ,以大块金属玻璃的玻璃形成的临界冷却速度Rc 作为合金非晶形成能力 (GFA)的参数 ,用Origin软件分别对上述三个物理参量与Rc 的关系进行统计处理时发现 :Δd ,Δe ,及v与BMG的GFA的关系出现极小值现象 ,不同合金体系极小值的位置不同 ;玻璃形成能力强的合金体系 ,其各个组元的原子百分含量、组元原子之间的半径差以及电负性差三者之间的搭配是和谐的。金属玻璃合金的最优成分范围以及各种添加元素的最佳添加量现象可能与这三个物理参量与Rc 之间的极小值现象有关。

常见硫化物表面的XPS研究

采用XPS分析方法 ,研究了黄铁矿、磁黄铁矿、方铅矿、黄铜矿、闪锌矿和毒砂等常见硫化物矿物表面的化学成分及其化学态 ,从而探讨硫化物表面的氧化和次生变化。研究发现 :(1)硫化物矿物表面在氧逸度较高的情况下很容易发生变化 ,其氧化产物很复杂 ,主要是其金属元素的高价态氧化物、氢氧化物和硫酸盐等 ;(2 )就一般常见硫化物而言 ,相对比较稳定的是黄铁矿 ;(3)常见硫化物经氧化后 ,其表面的原子比率常常显示硫富余 ;(4 )在含铁的各种常见硫化物中 ,除黄铁矿表面的铁相对稳定外 ,毒砂表面的铁也相对较稳定 ,而闪锌矿表面的类质同像铁却容易被氧化而发生变化。

高k金属栅NMOSFET器件阈值电压调控方法

实现对器件阈值电压的有效调控是高k金属栅(HKMG)技术面临的一项重要挑战。TiAl薄膜作为n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的功函数层被广泛地应用于HKMG结构中以实现对器件阈值电压的调控。实验采用射频(RF)-直流(DC)磁控溅射的方式沉积TiAl薄膜,通过优化直流功率、射频功率和反应压强工艺参数,实现了对薄膜Ti/Al原子比率的调节,提高了Ti/Al原子比率分布均匀度。基于实验结果,采用后栅工艺流程制造HKMG NMOSFET,讨论不同的Ti/Al原子比率和TiAl层厚度对NMOSFET阈值电压的影响。Ti/Al原子比率增大10%,NMOSFET的阈值电压增加12.6%;TiAl层厚度增加2 nm,NMOSFET的阈值电压下降19.5%。这种方法已经被成功应用于HKMG器件的生产。

ON LINE COMPUTATION OF EMPIRICAL FORMULA BY MEANS OF ELEMENTAL ANALYSIS AND ITS PROGRAM DESIGN

On line determination of empirical formula for organic compounds with an automatic elemental analyzer and its program design method were investigated. The computational results shews that the reliability of computational results depends on the accuracy of the analytical data and the organic compound itself.