310℃和350℃下锆-4合金中沉淀相非晶化研究

用大束流加速器和透射电子显微镜研究了Zr 4合金在310 ℃和350 ℃下的质子辐照效应。当质子能量为2 MeV,在 310 ℃和 350 ℃下质子辐照产生原子离位损伤达 5 dpa(注量率为 8.5×1013 cm-2 ·s-1),辐照前后的明场像、高分辨相和电子衍射花样均表明:在310 ℃辐照产生原子损伤达到 5 dpa,沉淀相 Zr(Cr,Fe)2 边缘5~10 nm的区域已经非晶化,而在350 ℃时质子辐照却没有非晶化发生。沉淀相 Zr(Cr,Fe)2的元素分布图像和浓度分布表明,铁元素向基体扩散并且聚集在非晶化边界区域。

碳化硅半导体材料的辐照试验及表征研究

介绍了用于碳化硅半导体材料辐照试验的装置和基本流程,分析了碳化硅半导体材料在辐照试验后的表征变化,包括离子注入量与原子平均离位损伤的关系,碳化硅表面形貌变化情况,碳化硅C-AFM测试结果分析。通过试验,对辐照剂量引起的碳化硅半导体材料的损伤机制有了基本了解。

纳米WS_2和MoS_2在西安脉冲堆中辐照损伤的计算机模拟

采用蒙特卡罗程序(MCNP)对纳米材料WS2和MoS2在西安脉冲堆辐照实验下的位移损伤—原子离位数率进行了模拟计算与分析,确定了堆芯辐照样品内的中子注量率分布;对各样品的中子剂量率、γ剂量率进行了计算,采用典型的热中子反应堆的能谱加权,基于平均位移Kerma因子的方法,利用NJOY程序从最新的ENDF/B VII.1评价库中获取各元素的69群损伤截面,对各元素原子离位截面进行了计算,最终得到了各样品的原子离位数率。计算结果显示,纳米材料WS2和MoS2最大原子离位数率可达1.51?10-8DPA·s?1,且快中子对原子离位数率贡献要大于热中子。