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丙烯在MoO_3和WO_3缺氧表面吸附的原子簇模型的从头算研究 被引量:2
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作者 郑芳 湛昌国 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1996年第8期742-749,共8页
本文选取原子簇模型,用从头算UHF方法优化几何构型,并进行二级Mller-Plesset微扰(MP2)相关能计算,研究了丙烯在MoO_3和WO_3表面的吸附态结构.优化得到的吸附前后的几何构型及计算的原子净电荷和吸附能都一致地表明,WO_3对丙烯的吸附... 本文选取原子簇模型,用从头算UHF方法优化几何构型,并进行二级Mller-Plesset微扰(MP2)相关能计算,研究了丙烯在MoO_3和WO_3表面的吸附态结构.优化得到的吸附前后的几何构型及计算的原子净电荷和吸附能都一致地表明,WO_3对丙烯的吸附作用强于MoO_3;丙烯均用π成键电子向中心原子Mo或W配位而被吸附在MoO_3的缺氧表面,使丙烯中的碳-碳双键减弱致使容易断裂,进而起到促进歧化反应的作用.从MP2计算的WO_3对丙烯的吸附能0.934cV大于MoO_3对丙烯的吸附能0.506eV及吸附过程均不必翻越能垒,还可以定性理解用WO_3作催化剂时的丙烯歧化反应的最佳温度(675K)高于用MoO_3作催化剂(均以Al_2O_3为载体)的最佳反应温度(480K)。 展开更多
关键词 氧化钼 氧化钨 表面吸附 丙烯 原子簇模型
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Ni_2Fe_2P团簇结构及电子性质的DFT研究 被引量:7
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作者 胡红智 方志刚 +3 位作者 刘冬杰 郭景雪 王金东 高玉英 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第6期830-835,F007,共7页
利用DFT(密度泛函理论)方法对原子簇模型Ni2Fe2P的二十余种可能构型分别在二、四重态下进行优化计算,分析比较了优化结果的能量、成键及电荷分布情况。结果表明:原子簇Ni2Fe2P二重态比四重态稳定,二重态时以变形的四方锥构型最稳定,四... 利用DFT(密度泛函理论)方法对原子簇模型Ni2Fe2P的二十余种可能构型分别在二、四重态下进行优化计算,分析比较了优化结果的能量、成键及电荷分布情况。结果表明:原子簇Ni2Fe2P二重态比四重态稳定,二重态时以变形的四方锥构型最稳定,四重态时以变形的三角双锥构型最稳定;无论是二重态,还是四重态,Fe鄄P间的成键能力均要强于其它键;随着P原子周围成键金属原子的增加,P原子所带正电荷逐渐增加。 展开更多
关键词 镍铁磷非晶态合金 构型 电子性质 DFT 密度泛函理论 过渡金属原子簇络合物催化剂 原子簇模型
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非晶硅短程序与电子结构关系的量子化学研究
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作者 张瑞勤 戴国才 +1 位作者 关大任 蔡政亭 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS 1988年第6期608-611,共4页
本支通过对Si_(29)无规网络原子簇模型的CNDO计算,探讨了非晶硅(a-Si)结构短程序对其电子态密度(DOS)分布的影响。结果表明,在与实验原子径向分布函数(RDF)基本相同的条件下,a-Si模型中的键角和二面角是影响电子态密度分布的主要参数。
关键词 连续无规网络 结构短程序 径向分布函数 非晶硅原子簇模型 电子态密度
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Pt-Ru二元合金催化剂CO“中毒”问题的理论研究 被引量:2
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作者 麻博远 赵星 《辽宁工业大学学报(自然科学版)》 2008年第4期274-277,共4页
用从头算原子簇模型近似模拟了CO吸附在Pt-Ru合金表面,计算了在平衡状态时的结构和振动光谱,发现它们与实验值极其一致。同时也发现在Pt-Pt4-Pt2Ru2CO原子簇模型中Pt-C键长们明显比在Pt-Pt4-Pt4CO原子簇模型中长,结合能147 kJ/mol也低于... 用从头算原子簇模型近似模拟了CO吸附在Pt-Ru合金表面,计算了在平衡状态时的结构和振动光谱,发现它们与实验值极其一致。同时也发现在Pt-Pt4-Pt2Ru2CO原子簇模型中Pt-C键长们明显比在Pt-Pt4-Pt4CO原子簇模型中长,结合能147 kJ/mol也低于在Pt-Pt4-Pt4CO原子簇模型中的情况。这说明Pt-Pt4-Pt2Ru2CO原子簇更不容易CO"中毒"。 展开更多
关键词 从头算法 原子簇模型 CO2 Pt-Ru二元合金 吸附
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低指标Pt晶面CO吸附位置及结合能
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作者 麻博远 邱新平 雷敏生 《江西师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2003年第1期18-21,共4页
用从头算法,对CO在Pt(100)和Pt(111)晶面的顶位吸附进行了理论研究.研究表明:CO在Pt(100)和Pt(111)晶面顶位吸附的几何构型和振动波数不依赖晶面原子簇模型的选择.CO在两个晶面的吸附结合能分别为222kJ/mol和175kJ/mol,计算结果与近期... 用从头算法,对CO在Pt(100)和Pt(111)晶面的顶位吸附进行了理论研究.研究表明:CO在Pt(100)和Pt(111)晶面顶位吸附的几何构型和振动波数不依赖晶面原子簇模型的选择.CO在两个晶面的吸附结合能分别为222kJ/mol和175kJ/mol,计算结果与近期发表的热力学实验数据吻合. 展开更多
关键词 Pt晶面 CO 吸附位置 从头算法 表面原子簇模型 顶位吸附 吸附结合能 一氧化碳
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Prediction of antigenic determinants of trichosanthin by molecular modeling
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作者 HE YONG NING ZONG XIANG XIA +2 位作者 YIN WANG YONG YONG JI MING YEH (Shanghai Institute of Organic Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200032, China)( Shanghai Institute of Cell Biology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200031, China)(Corresp 《Cell Research》 SCIE CAS CSCD 1996年第2期93-100,共8页
The antigenic determinants of trichosanthin were predicted by molecular modeling. First, the threedimensional structure model of the antigen-binding fragment of anti-trichosanthin immunoglobulin E was built on the bas... The antigenic determinants of trichosanthin were predicted by molecular modeling. First, the threedimensional structure model of the antigen-binding fragment of anti-trichosanthin immunoglobulin E was built on the basis of its amino-acid sequence and the known three-dimensional structure of an antibody with similar sequence. Secondly, the preferable antigen-antibody interactions were obtained based on the known three-dimensional structure of trichosanthin and of the hypervariable regions of anti-trichosanthin immunoglobulin E. Two regions in the molecular surface of trichosanthin were found to form extensive interactions with the hypervariable regions of the antibody and have been predicted to be the possible antigenic determinants: one is composed of two polypeptide segments, Ile201-Glu210 and Ile225-Asp229, which are close to each other in the three-dimensional structure; and the other is the segment Lys173-Thr178. The former region seems to be the more reasonable antigenic determinant than the latter one. 展开更多
关键词 Antigenic determinants trichosanthin anti-trichosanthin immunoglobulin E molecular modeling
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金属-陶瓷界面电子结构的簇模型量子化学研究
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作者 刘韩星 张汉林 +2 位作者 任海兰 欧阳世翕 袁润章 《武汉工业大学学报》 CSCD 1996年第3期28-30,共3页
用量子化学离散变分xα自洽场方法对金属-陶瓷界面电子结构进行研究,讨论原子基组对电子结构的影响,“固体原子”基的计算结果更接近于固体,计算结果表明表面Mg—O键不如固体内部Mg—O键强。
关键词 金属 陶瓷 电子结构 原子簇模型 界面 量子化学
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Atom-continuum coupled model for thermo-mechanical behavior of materials in micro-nano scales 被引量:5
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作者 XIANG MeiZhen CUI JunZhi +1 位作者 LI BoWen TIAN Xia 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第6期1125-1137,共13页
In this paper,an atom-continuum coupled model for thermo-mechanical behaviors in micro-nano scales is presented.A representative volume element consisting of atom clusters is used to represent the microstructure of ma... In this paper,an atom-continuum coupled model for thermo-mechanical behaviors in micro-nano scales is presented.A representative volume element consisting of atom clusters is used to represent the microstructure of materials.The atom motions in the RVE are divided into two phases,structural deformations and thermal vibrations.For the structural deformations,nonlinear and nonlocal deformation at atomic scales is considered.The atomistic-continuum equations are constructed based on momentum and energy conservation law.The non-locality and nonlinearity of atomistic interactions are built into the thermo-mechanical constitutive equations.The coupled atomistic-continuum thermal-mechanical simulation process is also suggested in this work. 展开更多
关键词 atom-continuum coupled (ACC) model atomistic model thermo-mechanical behaviors NONLOCALITY multiscale model
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A model for thermal annealing on forming In—N clusters in InGaNP
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作者 ZHAO ChuanZhen CHEN Lei +5 位作者 LI NaNa ZHANG HuanHuan CHEN YaFei WEI Tong TANG ChunXiao XIE ZiLi 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第5期798-801,共4页
We develop a model for the effect of thermal annealing on forming In--N dusters in GalnNP according to thermodynamics. The average energy variation for forming an In--N bond in the model is estimated according to the ... We develop a model for the effect of thermal annealing on forming In--N dusters in GalnNP according to thermodynamics. The average energy variation for forming an In--N bond in the model is estimated according to the theoretical calculation. Using the model, the added number of In--N bonds per mol of InGaNP, the added number of nearest-neighbor In atoms per N atom and the average number of nearest-neighbor In atoms per N atom after annealing are calculated. The different function of In--N clusters in InGaNP and InGaN is also discussed, which is due to the different environments around the In--N clusters. 展开更多
关键词 InGaNP ANNEALING In--N clusters THERMODYNAMICS
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