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题名高温氩退火对提高Si片质量的研究
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作者
李宗峰
冯泉林
赵而敬
盛方毓
王磊
李青保
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机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第4期302-305,共4页
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基金
国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401
2009ZX02011)
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文摘
首先研究了氩退火对大直径直拉Si单晶表面的空洞型微缺陷的影响。样品在1 200℃下进行退火,退火前后样品上的晶体原生粒子缺陷(COP)利用激光计数器SP1来观察。试验表明Si片经过1 h退火后,表面的COP全部被消除;另外,对样品退火前后的几何参数和金属含量也做了测试,发现样品的几何参数和金属含量都没有明显的变化;最后研究了高温退火对MOS电容栅氧化层性能的影响,结果表明退火前后的样品分别制备为MOS电容,利用斜坡电压法来测试其击穿电压。实验发现,Si片经过1 200℃热处理后,MOS电容的击穿电压有了明显的提高,这表明高温退火工艺能够有效提高栅氧化层的性能。
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关键词
高温氩退火
空洞型微缺陷
栅氧化层完整性
直拉单晶硅
晶体原生粒子缺陷
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Keywords
high temperature argon annealing
void defect
gate oxide integrity (GOI)
Czochralski silicon
crystal original particles
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
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题名钠还原钽粉的显微结构
被引量:6
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作者
潘伦桃
施文峰
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机构
宁夏有色金属冶炼厂
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出处
《粉末冶金材料科学与工程》
EI
1997年第4期295-298,共4页
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文摘
用扫描电子显微镜观察了钠还原氟钽酸钾制得的钽粉的微观结构,其特征是:不同的钠还原方式生产的钽粉有相似的微观结构;同一钠还原工艺,不同工艺参数生产的钽粉,其原生粒子粒径从小于0.2μm到数μm;同一工艺条件生产的不同粒度的钽粉,其原生粒子大小一样。钽粉的原生粒子大小反映了比表面积的大小即比容的高低。
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关键词
钽粉
钠还原
原生粒子
比表面积
比容
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Keywords
tantalum powder
sodium reduction
primary partical
special surface area
capacitance
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分类号
TF124.1
[冶金工程—粉末冶金]
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题名高温氩退火对直拉CZ硅单晶中空洞型微缺陷的影响
被引量:2
- 3
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作者
李宗峰
周旗钢
何自强
冯泉林
杜娟
刘斌
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机构
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司
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出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期120-123,共4页
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基金
国家科技重大专项项目(2008ZX02401)资助
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文摘
研究了高温氩退火对大直径直拉硅单晶中晶体原生粒子缺陷(COP)的消除作用。分别在不同温度和保温时间下进行退火,然后利用表面扫描检测系统SPI测量退火前后硅片表面COP的密度变化,来表征退火对COP的消除作用。研究发现,在1200℃退火2 h能够显著降低硅单晶表面区域的COP密度,并且随着退火时间的延长COP的密度降低得越多。然后,把所有的退火硅片抛去不同的厚度,检测COP在厚度上的分布,进而得出退火对COP消除的有效距离为0~10μm。因此,可以得到高温氩退火只能够消除硅片表面的COP缺陷,而对于硅片内部的这些缺陷影响较小。
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关键词
直拉硅单晶
大直径
空洞型微缺陷
晶体原生粒子缺陷
高温退火
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Keywords
CZ silicon
voids
crystal original particles
high-temperature annealing
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分类号
TN305.2
[电子电信—物理电子学]
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