去嵌入法计量双阴或双阳接口矢网电子校准件方法的探讨

本文介绍了去嵌入法,使用矢量网络分析仪检验件计量特殊接口,如双阴或双阳接口电子校准件,避免复杂的数据处理过程。同时,消除夹具对被测校准件的影响,使测量的参考平面从校准网络分析仪转化为测量结果,从而得到特殊接口电子校准件的各S参数值,并验证参数是否符合要求。

微波测量中的去嵌入方法

考虑微带型微波功率器件的测量问题 ,运用 L RL (Line- Reflect- L ine)法对测试夹具去嵌入 ,待测件的散射参量可表为测量值的单值函数 ,消除了嵌入网络参量相位不确定性引入的误差 .

一种简单的S参数去嵌入技术

介绍了在低成本夹具上 ,任意微带结构二端口网络S参数去嵌入的方法 ;该方法用于获取放大器模块的S参数 ,根据这些参数设计的C波段的放大器实测结果与仿真一致。

一种去嵌入射频测量技术

去嵌入是一种射频微波精确测量技术。本文介绍了一种新型的去嵌入测量技术。该方法只需要一个对称的直通微带结构就能完成去嵌入。最后利用该方法对0603封装的电感进行了测量,并提取了精确测量后的电感模型。结果表明本去嵌入方法可以应用于射频PCB上器件模型的精确测量和模型提取。

可缩放的开路通路地屏蔽电感在片测试结构去嵌入方法

建立了标准CMOS工艺电感在片测试寄生参量模型.实验验证了相同频率时,信号线寄生的串联电阻、串联电感、并联电容与信号线的长度成正比.进而针对不同外径电感到焊盘之间信号线长度不同,采用相同去嵌入结构引起测量误差,不同的测试去嵌入结构又大大增加芯片面积的问题,首次提出针对该信号线寄生参量的按比例缩放地屏蔽开路通路测试结构去嵌入解决方案.使用0.35μm两层多晶硅、四层互连线的CMOS工艺电感流片验证了该方法的有效性.

微波射频差分探针去嵌入理论研究

为了获得被测件(DUT)准确的散射参数(S参数),研究了用于差分网络的去嵌入理论。在经典的差分探针结构的基础上,提出了一种可以抑制差分测试中共模信号影响的新型差分探针模型,即信号-信号探针(SS探针)。并完成了直通-反射-传输线(TRL)校准件和DUT的设计,推导了差分网络的多模去嵌入理论,编写算法并利用测试数据进行计算,仿真与测试结果表明在0~8 GHz的频率范围内,去嵌入后的散射参数的幅度、相位与仿真结果一致性较好。

平行线耦合微带滤波器精确设计及去嵌入测试

平行线耦合滤波器是广泛应用于微波射频前端系统中的重要器件。为了解决加工误差引起的平行线耦合微带滤波器的频率偏移效应,提出了圆角化的设计方案,即对平行线耦合滤波器的开路端采用圆角设计方案替代传统的长度补偿方案,为了避免相邻平行线宽度不同导致的不连续性,将各阶长度和宽度非常接近的平行线设置为相同长度和宽度,给出了预调整设计参数的流程。通过传输线校准,实测获得了34 GHz滤波器去嵌入效应后的频率响应,带内插损3 dB,带内波动小于1 dB,带宽3.8 GHz,测量结果与仿真吻合。

矢量网络分析仪的端口延伸和去嵌入功能的研究

本文研究了矢量网络分析仪的端口延伸以及夹具去嵌入的功能原理和应用。文章首先讨论了为什么要使用端口延伸和夹具的去嵌入功能以及这两项功能的原理,最后分别以测量同轴端口的滤波器和微带片滤波器为例介绍了它们的使用方法。

在晶圆噪声系数测试中的去嵌入方法

针对在晶圆噪声系数测试系统存在的问题,提出了基于级联网络噪声系数关系的去嵌入方法。采用该方法有效地去除了测试结构的噪声特性对被测器件噪声系数的影响,提高了测量精度和可重复性。同时,这种方法也适用于其他需要去除测试结构影响的噪声系数测量系统。

电磁脉冲测试用元件宽频模型的去嵌入提取

在总结分析去嵌入建模技术原理的基础上,扩展了一种高速电磁脉冲测试用的元件宽频模型提取方法。构建了一种采用微带线测试结构结合微波网络分析仪的测量平台,通过建议的去嵌入方法在上吉赫兹范围内成功提取了脉冲电阻、解耦电容的宽频模型参数。提取的结果在宽频脉冲功率衰减器设计和静电放电波形测试中验证了其有效性。

一种“L-2L”传输线去嵌入方法的优化分析

介绍了一种基于硅基微波共面波导传输线的"L-2L"去嵌入技术的改进方法。该方法可更加精确地剥离在片器件S参数中探针焊盘寄生效应的影响。利用ADS软件对无焊盘的理想传输线结构进行了电磁仿真,确立了去嵌入结果精确度的判定标准。使用GSG微波探针提取了测试样品的S参数,推导了π型寄生参量等效电路模型中并联导纳Y不同位置(m=0,0.5,1)下左、右探针焊盘的ABCD矩阵,得到了去嵌入后在片器件的本征传输特性S参数,并结合电磁仿真对比。结果表明:m=1时,其S参数曲线与仿真结果最为接近(平均偏差量ΔS_(11)=18.431,ΔS_(21)=4.405,ΔS=11.418)。对于不同在片测试器件需要着重考虑m的取值。

硅基片上射频集成无源器件的去嵌入表征方法研究

硅基片上射频集成无源器件进行S参数测试时不可避免受到焊盘寄生效应的影响。针对这一问题,提取了三组不同长度硅基共面波导型传输线的S参数,基于级联理论的三种去嵌入方法被用于传输线模型分布参数的精确表征,并结合电磁仿真综合对比。结果表明:相对于其他两种常用去嵌入方法,"混合"法得到的S参数曲线与无焊盘仿真最为接近(平均偏差S_(11)≤3.392%,S_(21)≤5.184%),且削弱了去嵌入过程中测量误差的影响,有效减少了分布参数曲线波动。

T/R阵列自动测试系统去嵌入技术研究

为解决T/R阵列自动测试系统的链路校准准确度和校准效率的难题,提出一种基于TRL(thru,reflect,line)校准技术的链路去嵌入方法,通过建立测试系统的误差模型,并获取测试系统对TRL标准件的测试结果,运用TRL校准算法解算出各个误差项,实现测试系统去嵌入的目的。设计TRL标准件,并在Matlab中实现去嵌入算法,运用该方法对含有嵌入网络的滤波器模型实现去嵌入。去嵌入结果表明:在去嵌入频段内,增益测量误差<0.2 dB,驻波比测量误差≤0.07,传输相位测量误差≤2°,去嵌入耗时不随T/R组件规模的增大而增加,证明该方法可以提升T/R阵列自动测试系统的校准准确度和校准效率。

回旋行波管输出窗单端口测量去嵌入技术

射频夹具去嵌入技术通过将测量回路等效为网络级联的思想来实现,通常工作频率低于6GHz。基于误差模型参数修正原理,利用工作在Q波段回旋行波管输出窗的S参数进行验证,证明了该方法在微波测量去嵌入上具有很高的准确度,并给出了射频夹具去嵌入无法直接用于微波测量去嵌入的原因。回避了射频夹具去嵌入用于微波测量去嵌入的谐振问题,详细介绍了误差模型参数修正原理及具体实施方式,对于微波波导测量去嵌入具有一定的借鉴意义。

SWIFT算法在微波测量去嵌入中的应用

在微波网络的S参数测量中往往会遇到夹具效应,要想得到待测件的准确参数,就必须进行去嵌入计算以消除转接头带来的影响。文章提出利用SW IFT优化算法进行辅助去嵌入计算的方法,利用该去嵌入方法所获得的均衡器单子结构网络参数进行计算级联的结果与测量结果一致性很好,表明该方法的有效性和可应用性。另一方面由于该去嵌入方法中接头的参数是基于测试获得的,因此对接头本身加工精度的要求不高,使得本文所提出的S参数去嵌入方法能应用在一般的接头去嵌入上。

开口同轴探头去嵌入技术的研究

开口同轴探头测量技术,由于可实现非破坏性测试,一直是众多科学家及工程技术人员关注的焦点。但对于同轴探头的误差分析,研究不够深入。相位补偿技术是最常用的同轴探头去嵌入技术,该技术假设同轴探头是理想器件,忽略了同轴探头加工精度带来的误差。为此,提出了一种更为精确的去嵌入技术,即基于传输线模型的开口同轴探头去嵌入技术,通过实测得到表征同轴探头误差的校准参量,从而量化同轴探头的误差模型,以去除在测量中同轴探头带来的误差。介绍了该技术的基本原理,并与相位补偿技术进行了对比,最终通过实测验证了该技术是有效可行的。

非标器件S参数去嵌入测试方法研究

非标器件的S参数测试,需要重点考虑夹具效应对测试结果带来的影响。本文介绍了一种通过去嵌入的方式测试非标微波器件S参数的测试方法,通过与传统测试方法得到测试结果的比对,以及对该测试方法进行的不确定度分析,表明了该方法测试结果的准确度较高,且相比传统的测试方法,这种去嵌入化的测试方案对于测试夹具的加工精度要求不高,更具实用性,可应用于非标器件S参数测试中。

一种宽带去嵌入方法

本文介绍在没有校准件或无法提供有效校准件情况下，使用对称夹具，测量微波器件散射参数的方法，并用实验加以验证，给出了测量误差的定量分析。

在低成本测试夹具上实现对表面贴装射频元器件的精确去嵌入

射频工程师通常使用矢量网络分析仪（VNA）测量射频元器件的S参数，以便对其特性进行表征并进行后续设计。他们在测量过程中遇到的一个问题是，这些元器件往往是表贴封装的，不能直接与VNA连接。如图1所示，工程师通常会制作简单的PCB测试夹具来对被测件（DUT）进行表面贴装，建立被测件与VNA的连接。

SOLT校准法在MMIC去嵌入问题中的应用

单片微波集成电路(MMIC)在当今电子业的巨大推动下得到迅速的发展,其中器件测试方法的准确度直接影响到模型库的建立,并进一步关系到产品的成本、周期和监测等问题.传统的MMIC去嵌入方法是基于等效电路模型进行网络参数剥离,随着新的化合物材料的应用使器件的工作频率不断提高,这时传统方法会带来很大误差.本文引入了SOLT校准方法利用误差网络来实现去嵌入,并给出测试方法的步骤,流片试验结果分别同三维全波电磁场仿真比较,证明本文的校准方法更具准确性和实用性.