一种用于毫米波器件本征在片S参数校准的新方法

提出一种用于毫米波器件本征在片S参数校准的新方法。对于毫米波频段电路而言,准确已知的仿真模型是必需的,因此,精确地去嵌入测试技术就显得尤为重要。在传统开路短路去嵌入算法的基础上,建立了新型去嵌入模型和求解算法。通过增加开路短路标准的传输线长度近似得到理想开路和短路,降低测试误差;同时在模型中增加了毫米波频段逐渐变大的微波探针之间的串扰误差项。考虑到串扰求取的复杂性,该算法中不需要知道串扰准确量值就能将其有效消除。研制了相应的校准件和被测件。110 GHz无源器件测试表明,该算法准确度与NIST二次串扰修正算法相当,相比于传统测试结果的S_(21)最大改善了1.3 dB。有源器件测试结果也表明,该算法在晶体管的最大稳定增益测试方面具有更高的准确度。