CPU干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用

本文以CPU金属刻蚀去胶腔为背景，简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题，展开讨论。通过实际案例分析．展示了CPU干刻清洗工艺的应用价值。

干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用

本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。

温度与压力对等离子去胶工艺的影响

等离子去胶工艺是半导体单片扫胶、扫底膜工艺、元器件封装前、芯片制造等行业的重要清洗步骤,等离子去胶采用传统的等离子清洗工艺无法满足去胶的效果与指标,因此,通过对腔体的温度与压力的实验研究,得出温度与真空压力在去胶清洗工艺的重要作用。

纳米压印中残余胶刻蚀工艺研究

压印光刻在图形转移之后,需要去除残留在凹槽底部的胶。采用RIE工艺对紫外压印胶的刻蚀速率进行了研究。结果表明,随着气压或气体流量增大,刻蚀速率均会先增加,达到一定值后又开始下降;在刻蚀气体中加入SF_6后,会减少钻蚀,但刻蚀速率会有少许下降;而在刻蚀气体中加入少量SF_6且压强及流量较大时,各部分的刻蚀速率一致性较好。由此得到了一个优化后的刻蚀条件,反应气体:O_2+SF_6,气体流量分别为40 cm^3/min和5 cm^3/min,压强9.31 Pa,RF功率20 W,此时刻胶速率可稳定在0.8μm/min左右,且均匀性较好。