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干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用
1
作者
王倩
《中国集成电路》
2006年第10期43-46,共4页
本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。
关键词
干刻清洗
DRY
CLEAN
金属刻蚀
Metal
ETCH
干刻
DRY
ETCH
去胶
腔
ash
CHAMBER
去胶
速率
:
ash
Rate(AR)
下载PDF
职称材料
题名
干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用
1
作者
王倩
机构
上海华虹NEC电子有限公司
出处
《中国集成电路》
2006年第10期43-46,共4页
文摘
本文以金属刻蚀去胶腔为背景,简述干刻清洗工艺开发和评价过程。针对实际应用中的问题,展开讨论。通过实际案例分析,展示了干刻清洗工艺的应用价值。
关键词
干刻清洗
DRY
CLEAN
金属刻蚀
Metal
ETCH
干刻
DRY
ETCH
去胶
腔
ash
CHAMBER
去胶
速率
:
ash
Rate(AR)
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
干刻清洗工艺在金属刻蚀去胶腔上的评价及应用
王倩
《中国集成电路》
2006
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