等离子去钻污参数对PCB去钻污量的影响

对等离子去钻污参数进行工艺研究,通过实验评估了加工电极功率和加工时间对PCB单位面积去钻污量的影响,并研究了在一定厚径比(9.4:1)下,不同参数对去钻污量的影响。将电极功率和加工时间与PCB去钻污量进行了线性关系拟合,得到函数关系方程。最后进行了切片分析,验证了函数方程的应用范围。

基于负载面积的Plasma工艺能力研究

随着第五代移动通信技术(5G)的快速发展,高速材料的Low D_(K)特性在信号传输方面有着极高的优势,因而被越来越多的应用到5G产品上,此类材料钻孔后的钻污通常通过等离子去钻污的方式去除。本文主要研究了等离子去钻污参数加工高速材料的能力,通过研究印刷电路板(PCB)的孔壁树脂面积(S)、板厚(h)和厚径比(AR)与PCB去钻污量(D)之间的关系,并进行了函数拟合,最终建立了孔壁树脂面积、板厚和厚径比与去钻污量的函数关系模型,实验结果表明:在同一等离子去钻污参数下,孔壁树脂面积与去钻污量成反比例关系;去钻污量随着PCB的板厚和厚径比的增加而减小;孔壁树脂面积、板厚和厚径比与去钻污量的函数关系为D=367.6S^(-1)e^(-0.2108h-0.03345AR)。