聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响

为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及表面粗糙度的影响,并探究PDADMAC在CMP过程中对W和SiO_(2)的不同作用机制。结果表明:随着PDADMAC添加量的增加,W的去除速率小幅度下降,SiO_(2)的去除速率大幅度下降,从而提高了W和SiO_(2)之间的去除速率选择比;PDADMAC会在W表面发生静电吸引作用和在SiO_(2)表面发生吸附作用,这些作用会明显增加W和SiO_(2)的去除速率选择比和改善W和SiO_(2)镀膜片的表面质量;以PDADMAC为抑制剂,使用普通硅溶胶为磨料即可实现较高的W去除速率和较高的W和SiO_(2)去除速率选择比。

新型阻挡层材料钌的研究进展

随着集成电路特征尺寸不断缩小到14 nm及以下,钌凭借其低的电阻率、对铜高的依附性而被考虑替代传统阻挡层材料Ta/TaN。但是,钌作为阻挡层材料依然存在很多问题,如低去除速率、容易引起铜的界面腐蚀、铜钌去除的不均匀性。针对以上问题,主要从三个方面介绍了近几年的研究进展。首先,介绍了氧化剂及络合剂对钌去除速率的影响;然后,总结了针对铜钌界面腐蚀问题的研究进展;最后,阐述了国内外解决铜钌去除速率选择性问题的研究进展。此外,提出未来新型阻挡层钌的抛光液的研究应综合解决上述问题,而非单一解决,才能真正应用于生产领域。