双(亚烷二硫基)四硫富瓦烯衍生物的合成及其电化学性质

以四 (氰乙硫基 )四硫富瓦烯为原料经醇钠消去氰乙基生成四硫富瓦烯四硫盐 ,再与二元卤代烷烃化反应 ,除了得到三种文献报道的双 (亚烷二硫基 )四硫富瓦烯衍生物外 ,还得到三种新的“四桥”双 -四硫富瓦烯衍生物 ,为“桥式”双 -四硫富瓦烯衍生物的合成提出了一种新的方法 .并研究了它们的循环伏安图、电化学性质和紫外

双—（二烷硫基四硫富瓦烯二硫）金属配合物的合成及性质研究

合成了三种未见文献报道的双-(二烷硫基四硫富瓦烯二硫)金属配合物和三种新的四硫富瓦烯(TTF)桥联的双金属配合物,测定了它们的电导率,讨论了含Ni配合物的电导率优于含Cu,Hg配合物的原因.

双(6,7-二甲硫基四硫富瓦烯-2,3-二硫)金属配合物的合成

以 6,7-二甲硫基四硫富瓦烯 -2 ,3 -二硫盐为配体合成了 3种未见文献报道的双 (6,7-二甲硫基四硫富瓦烯 -2 ,3 -二硫 )金属配合物 ,为“桥式”四硫富瓦烯衍生物的合成创造出一种新方法 ,并对只得到中性产物提出了合理的解释。研究了其

双(6,7-二甲硫基四硫富瓦烯-2,3-二硫)金属配合物的合成及其电化学性质

以 6 ,7-二甲硫基四硫富瓦烯 - 2 ,3-二硫醇盐为配体合成了两种新的双 (6 ,7-二甲硫基四硫富瓦烯 - 2 ,3-二硫 )金属配合物 ,利用循环伏安法研究了它们的电化学性质 ,并讨论了其紫外 -可见光谱和形成中性产物的原因。

双噻吩基四硫富瓦烯富勒烯C60几何构型与电子结构的理论研究

利用半经验AM1法研究双噻吩基四硫富瓦烯富勒烯 C60 (BTTTF C60 )和四硫富瓦烯 C60 (TTF C60 )的几何构型、电子结构和前线轨道 .计算结果显示 ,两化合物的TTF面发生弯曲 ,形成独特的空间构型 ,电子结构的分析表明其原因是由C60与TTF或BTTTF的相互作用引起的 .C60的LUMO能与BTTTF的HOMO能接近 ,易发生D A反应 ,形成BTTTF C60 .BTTTF C60和TTF C60的LUMO能仍较低 .LUMO分布集中在C60部分 ,表明BTTTF C60的C60母体仍可接受电子 .另外对两分子的电荷分布、HOMO及LUMO的分析比较 ,表明所设计的BTTTF C60分子可能产生与TTF

2,3-二硫苄基-6,7-二(2-氰基乙硫基)四硫富瓦烯的合成及其性质研究

设计合成了2,3-二硫苄基-6,7-二(2-氰基乙硫基)四硫富瓦烯.以UV-Vis,1HNMR,IR,MS和元素分析进行了表征,测定了产物的循环伏安图.运用Gaussian98量子化学程序包,采用密度泛函(DFT)的方法,在B3LYP/6-31G(d)水平上对分子的几何构型进行了优化.计算结果表明,由于取代基的引入使体系的HOMO能量降低,分子趋于稳定,这与分子的设计是一致的.

二氰基取代的四硫富瓦烯硫杂冠醚衍生物的合成及性质研究

在甲苯溶液中,在亚磷酸三乙酯存在下,采取高度稀释的方法,使4,5-二氰基-1,3-二硫杂环戊二烯-2-酮分别和多缩硫杂冠醚进行交叉偶联反应,成功地得到了不对称的2,3-二氰基四硫富瓦烯衍生物。用1HNMR、MSI、R和EA表征了其结构,并用循环伏安法研究了它们的电化学性质,用1HNMR初步评价了衍生物对钠离子的配合性能。

1，3，4，6－四硫代戊搭烯－2，5－二酮制备含硫取代基的四硫富瓦烯的研究

以１，３，４，６－四硫代戊搭烯－２，５－二酮为原料，经偶联、醇解、烃化或醇解、烃化、偶联等步骤，制得四甲硫基四硫富瓦烯、四乙硫基四硫富瓦烃、二喹喔啉硫醚、４－甲硫基－５－甲氧甲酰硫基－１，３－二硫环戊烯－２－酮、四甲硫基乙烯和４，４＇－二甲硫基－５，５＇－二甲氧甲酰硫基四硫富瓦烯及它的异构体混合物．提出了１，３，４，６－四硫代戊搭烯－２，５－二酮醇解机理．讨论了未得到某些预期产物的原因．报道了３种四硫富瓦烯衍生物的循环伏安图及电化学性质．

四硫富瓦烯(TTF)衍生物的配位组装

四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene,TTF)衍生物和二硫纶(dithiolene)化合物等有机富硫分子作为有机光电磁的功能化合物,一直受到了人们的重视。近年来一类融合了TTF和二硫纶结构的扩展TTF衍生物引起人们很大的兴趣。这类八硫共轭体系具有较好的电子授受特性,展示出潜在的应用价值。有目的地利用它们与金属离子间较强的配位能力对这些化合物进行晶体或分子设计已成为配位化学在富硫有机配合物研究中的一个热点。本文重点介绍这方面研究的最新进展。主要包括以卤化亚铜基本骨架为基础的四烷基硫取代四硫富瓦烯(犤(RS)2TTF(SR)2犦)的配位组装;二烷基硫取代的TTF融合二硫纶离子(犤(RS)2TTF(S)2犦2-)和TTF融合双二硫纶离子(犤(S)2TTF(S)2犦4-)金属配位衍生物的分子设计和空间构筑。通过配位修饰或组装,这类TTF金属衍生物显示了多变的结构,有的已发现具有较好的物理性质。

四硫富瓦烯基二硫纶及其配合物的合成

四硫富瓦烯 1,2 二硫纶(TTFDT)在有机金属导体领域有着良好的应用前景,通过恰当的分子设计可以开发出具有良好电导率的衍生物和配合物。设计、合成和表征了一种可作为配体前体的TTFDT衍生物,并且改进了其合成方法。

不对称四硫富瓦烯衍生物合成新方法及其电化学性质的研究

以 2 ,3-二 ( 2′-氰乙硫基 ) -6 ,7-亚烷硫基四硫富瓦烯为原料 ,在醇钠的作用下消去氰乙基生成的二元硫负离子与对 -二 (氯甲基 )苯反应除了生成两种新的不对称四硫富瓦烯衍生物外 ,还得到两种新的“二桥”-双四硫富瓦烯衍生物 ,为四硫富瓦烯衍生物的合成提供了一种新的方法。并对不对称四硫富瓦烯衍生物和“二桥”-双四硫富瓦烯衍生物的循环伏安图、电化学性质和

乙二硫撑二硫苄基四硫富瓦烯的合成

本文以二硫化碳和金属钠为起始原料，设计合成了一种新的有机电子给体—乙二硫撑二硫苄基四硫富瓦烯．并对该化合物的结构经元素分析、红外光谱、核磁共振谱和质谱确证．

D-π-A型四硫富瓦烯衍生物的合成及其性能研究

作为很强的有机电子给体，四硫富瓦烯能够在低电位被可逆氧化，失去一个或两个电子生成相应的正一价阳离子自由基或正二价阳离子，近年来它在众多领域显示出日益重要的作用，本论文设计合成了一系列具有D-兀-A和A-兀-D-兀-A结构的四硫富瓦烯（TTF）衍生物，系统研究了它们在基态发生分子内电荷转移的可能，并利用外界刺激改变分子内电荷转移的程度，取得了如下研究结果：

四硫富瓦烯基四硫纶及其配合物的合成

以二硫化碳、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为起始原料,亚磷酸三丁酯为偶联剂,合成了2,3,6,7-四(2′-氰乙硫基)四硫富瓦烯四硫纶(TTFTT),并以TTFTT为桥配体、邻菲啉为封端配体,制得了中心金属离子为Zn2+、Ni2+的四硫富瓦烯基四硫纶双金属配合物。中间物及产物经IR和元素分析进行了结构表征,其中目标产物元素分析的实测值与计算值比较吻合,说明合成路线合理可行。

简法合成1,3,4,6-四硫杂戊搭烯-2,5-二酮

以异丙醇为溶剂，异丙醇钧和二硫化碳反应生成异丙基黄原酸钠1．1未经纯化，向反应瓶中直接加入二氯乙酸甲酯，制得2，2-双-（异丙基黄原酸基）乙酸甲酯2.2经过浓硫酸催化，得1，3，4，6-四硫杂戊搭烯-2，5-二酮3．整个过程操作简便，产率较高，是制备1，3，4，6-四硫杂戊搭烯3的简便方法．

核扩展的萘二酰亚胺-插烯四硫富瓦烯类双极性有机半导体

与p-型和n-型有机半导体相结合的方法相比,双极性有机半导体在构筑逻辑互补电路方面具有明显优势,然而,目前综合性能优良的双极性有机半导体仍较为缺乏.通过能级调控策略,设计合成了五个苯并六元氮/氧/硫杂环核扩展的萘二酰亚胺-插烯四硫富瓦烯(NDI-VTTF)衍生物1~5,并对其底栅顶接触结构的有机场效应晶体管(OFET)器件性能进行了研究.结果表明化合物1~5均具有双极性载流子传输特性,其中化合物1,3~5是电子传输主导的双极性有机半导体,而化合物2是电子和空穴传输性能平衡的双极性有机半导体.得益于热退火处理对薄膜结晶性的提高和微观形貌的改善,基于化合物1~5的薄膜OFET器件的迁移率均随热退火温度的升高而增大,其中基于化合物2的薄膜OFET器件经180℃热退火后的电子和空穴迁移率分别达到0.037和0.050 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1).

1,3-二硫杂环戊二烯基团在现代材料科学中的应用

描述了1，3－二硫杂环戊二烯基团的基本性质和特点，对其在现代材料科学中应用的最新进展作了简要的概括和评述。

4,5-二[2-(邻甲酰苯氧基)乙硫基]-1,3-二硫环戊烯-2-酮的合成及晶体结构

以水杨醛与1,2-二溴乙烷为反应物,乙腈为溶剂,在无水K2CO3存在下合成了2-溴乙氧基水杨醛(1),1和二-(1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮-4,5-二硫)合锌酸四乙基铵盐在乙腈中回流,得到新型的四硫富瓦烯(TTF)前体2.在Hg(OAc)2存在下,2可转化为4,5-二[2-(邻甲酰苯氧基)乙硫基]-1,3-二硫环戊烯-2-酮(3),其结构经1HNMR,FT-IR,元素分析和单晶X射线衍射分析得到确证.

簇合物裂解法合成二硫纶化合物

以 [Me4N]2 [M4(SPh) 1 0 ]和 [Me4N]4[S4M1 0 (SPh) 1 6](M=Cd,Zn)为前驱体 ,采用簇合物裂解法合成了配合物 (Bu4N) 2 [Cd(mnt) 2 ]、 (Bu4N) 2 [M(dmit) 2 ](M=Cd,Zn)以及双核配合物 (Me4N) 2 [Zn2 (Sph) 2 ·(S2 TTF(SCH2 ) 2 ) 2 ].运用 PM3计算方法得到了各种二硫纶盐配体中硫负离子的静电荷大小关系 :mnt2 - >SPh- >dmit2 - >[(Me S) 2 TTFS2 ]2 - ≈ [(CH2 S) 2 TTFS2 ]2 - .在理论计算及实验结果的基础上 ,探讨了配体上硫负离子的静电荷大小与反应产物间的关系 .

二硫架桥的二聚四硫富瓦烯合成新方法及其电化学性质研究

以2-(2′-氰乙硫基)-3,6,7-三甲硫基四硫富瓦烯为原料,在四甲基氢氧化铵作用下,通过Mn2+离子催化偶联反应合成了1个二硫架桥的二聚四硫富瓦稀化合物1,化合物1的结构经红外光谱、扫描电子显微镜、元素分析、核磁共振氢谱、质谱进行了表征.循环伏安结果显示化合物具有2对明显的可逆氧化还原峰.为"桥式"四硫富瓦稀衍生物的合成提出了一种新方法.