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LaMnO_3的A位二元掺杂对磁电阻效应的调制和提高
被引量:
4
1
作者
任清褒
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期919-923,866,共6页
基于探讨钙钛矿型锰氧化物磁电阻效应的目的,样品采用固相反应法制备,主要就LaMnO3的A位二元掺杂对磁电阻效应的影响作比较研究,发现(La1-xRx)0.67T0.33MnO3(T为Ca,Sr;R为Sm,Gd,Tb,Y)随x的增加,Tp和Tc逐渐降低,ρm和磁电阻值迅速增加,...
基于探讨钙钛矿型锰氧化物磁电阻效应的目的,样品采用固相反应法制备,主要就LaMnO3的A位二元掺杂对磁电阻效应的影响作比较研究,发现(La1-xRx)0.67T0.33MnO3(T为Ca,Sr;R为Sm,Gd,Tb,Y)随x的增加,Tp和Tc逐渐降低,ρm和磁电阻值迅速增加,均可用晶格效应来解释;La0.67Sr0.33-xCuxMnO3(0≤x≤0.33)的Tp随x的增加而下降,室温磁电阻值明显增大还提高了其温度稳定性,是因A位平均离子半径<rA>和A位离子的失配度起主要作用;La0.67(Ba1-xCax)0.33MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)的ρ-T变化呈现双峰特性,在0.4 T的磁场下,在77 K^230 K的温区内,磁电阻随T的升高而单调下降,可用晶界效应来解释,在Tc附近出现峰值磁电阻,这种高温磁电阻变化行为可用DE模型及非磁无序来说明;La0.5Ca0.5-xBaxMnO3(0≤x≤0.50)系列样品,当x≥0.14时随x的增加Tp升高,Tp处的峰值电阻逐渐减小,在5 T的磁场下,x≤0.20时磁电阻随T的降低先增大后减小再增大,峰值在Tp附近,x≥0.20时磁电阻随T降低而线性增加,其原因是相邻Mn离子间存在铁磁性和反铁磁性两种效应相互竞争。
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关键词
钙钛矿型
A位二元掺杂
双
交换
(DE)
作用
Curie温度(Tc)
超大磁电阻(CMR)效应
下载PDF
职称材料
LaMnO_3的La位掺杂对输运特性和磁电阻的影响
被引量:
1
2
作者
周振春
《丽水学院学报》
2005年第5期46-51,共6页
采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na...
采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na)多晶样品当0.1<x<0.2时室温磁电阻值最大;La1-xMxMnO3(M为Sr,Ca,Pb等)当x=0.33时体系为最佳导电和CMR态,其本质原因是双交换(DE)作用和Jahn-Teller效应;La1-xMxMnO3(M为Te,Ce,Zr,Sb等)电子掺杂型锰氧化物在发生PM-FM转变的同时伴随半导体-金属的相变,而两个相变温度Tc与Tp非常接近,在Tc附近具有CMR效应,这种现象我们认为可用广义的DE模型来解释。
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关键词
钙钛矿型
La位掺杂
双
交换
(DE)
作用
Curie温度(Tc)
CMR效应
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职称材料
题名
LaMnO_3的A位二元掺杂对磁电阻效应的调制和提高
被引量:
4
1
作者
任清褒
机构
丽水学院物理系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第6期919-923,866,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10274070)
文摘
基于探讨钙钛矿型锰氧化物磁电阻效应的目的,样品采用固相反应法制备,主要就LaMnO3的A位二元掺杂对磁电阻效应的影响作比较研究,发现(La1-xRx)0.67T0.33MnO3(T为Ca,Sr;R为Sm,Gd,Tb,Y)随x的增加,Tp和Tc逐渐降低,ρm和磁电阻值迅速增加,均可用晶格效应来解释;La0.67Sr0.33-xCuxMnO3(0≤x≤0.33)的Tp随x的增加而下降,室温磁电阻值明显增大还提高了其温度稳定性,是因A位平均离子半径<rA>和A位离子的失配度起主要作用;La0.67(Ba1-xCax)0.33MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.00)的ρ-T变化呈现双峰特性,在0.4 T的磁场下,在77 K^230 K的温区内,磁电阻随T的升高而单调下降,可用晶界效应来解释,在Tc附近出现峰值磁电阻,这种高温磁电阻变化行为可用DE模型及非磁无序来说明;La0.5Ca0.5-xBaxMnO3(0≤x≤0.50)系列样品,当x≥0.14时随x的增加Tp升高,Tp处的峰值电阻逐渐减小,在5 T的磁场下,x≤0.20时磁电阻随T的降低先增大后减小再增大,峰值在Tp附近,x≥0.20时磁电阻随T降低而线性增加,其原因是相邻Mn离子间存在铁磁性和反铁磁性两种效应相互竞争。
关键词
钙钛矿型
A位二元掺杂
双
交换
(DE)
作用
Curie温度(Tc)
超大磁电阻(CMR)效应
Keywords
perovskite structure
two-element-doped in A-site
double exchange(DE) interaction
Curie temperature(Tc)
eolossal magnetoresistance (CMR) effect
分类号
O482.51 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
LaMnO_3的La位掺杂对输运特性和磁电阻的影响
被引量:
1
2
作者
周振春
机构
丽水学院数理学院
出处
《丽水学院学报》
2005年第5期46-51,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(10274070)
文摘
采用固相反应法制备实验所需的多晶样品,主要探讨LaMnO3的La位分别用不同价阳离子掺杂对输运特性和磁电阻的影响,明确指出La位掺杂是提高和调制钙钛矿型锰氧化物超大磁电阻(CMR)效应的一种有效途径。实验结果表明:La1-xMxMnO3(M为Ag,Na)多晶样品当0.1<x<0.2时室温磁电阻值最大;La1-xMxMnO3(M为Sr,Ca,Pb等)当x=0.33时体系为最佳导电和CMR态,其本质原因是双交换(DE)作用和Jahn-Teller效应;La1-xMxMnO3(M为Te,Ce,Zr,Sb等)电子掺杂型锰氧化物在发生PM-FM转变的同时伴随半导体-金属的相变,而两个相变温度Tc与Tp非常接近,在Tc附近具有CMR效应,这种现象我们认为可用广义的DE模型来解释。
关键词
钙钛矿型
La位掺杂
双
交换
(DE)
作用
Curie温度(Tc)
CMR效应
Keywords
perovskite structure
substitution in La site
double exchange(DE) interaction
Curie temperature(Tc)
CMR effect
分类号
O513 [理学—低温物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
LaMnO_3的A位二元掺杂对磁电阻效应的调制和提高
任清褒
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
下载PDF
职称材料
2
LaMnO_3的La位掺杂对输运特性和磁电阻的影响
周振春
《丽水学院学报》
2005
1
下载PDF
职称材料
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