双光子光存储扫描信号强度分布的计算机模拟

针对双光子光存储系统的单光束聚焦扫描方式 ,建立了一种离散的衍射光斑计算模型 ,并实现了计算机仿真计算 .与传统计算方法相比 ,克服了“菲涅尔近似”或“夫朗和费近似”的限制 ,且对于大数值孔径物镜的情况也有效 .实验结果表明 ,该模型可以快速实现存储介质内部不同记录层面上双光子记录信号强度分布的仿真计算 .

侧链液晶双光子存储特性研究

合成了一种新型偶氮类侧链液晶。研究了该液晶的非线性光学性质和存储特性，在Ａｒ＾＋或ＹＡＧ激光预激发下，实现了６３２．８ｎｍ红光的双光子存储，实时存储响应时间达百微秒量级，阈值功率密度２．８ｍＷ／ｃｍ＾２。永久存储可达几天，文中还分析了存储机理，实时存储主要源自光致异构化，而永久存储则主要来自光致Ｐｏｌｉｎｇ效应及缓慢的恢复过程。

光子存储原理与光致变色材料

光子存储是信息科学中的一个前沿课题。本文主要包括以下内容：光子存储的４种方式；光子烧孔、电子捕获、光折变和光致变色存储的原理和材料；双光子三维光存储原理和材料；可能的发展方向。

光致变色二芳烯材料的光子型光信息存储(英文)

本文合成了八种光致变色二芳烯化合物,研究了它们的光致变色性质,并综述了它们在光子型光信息存储技术中的应用。在光辐照下,这些化合物在溶液和PMMA膜中均具有良好的光致变色特性。使用这些化合物作为光存储介质,成功进行了系列高密度光子型光信息存储实验,包括全息光存储、双光子光存储和多波长光存储。结果表明:二芳烯材料是光子型全息、双光子和多波长光存储技术中可采用的最理想的存储介质之一。

超高密度光存储技术

文章从三维体存储和近场光存储两个方向介绍了超高密度光存储技术。三维体存储包括:体全息数据存储、双光子吸收存储和多层存储。体全息数据存储容量大、寻址快、存储寿命长;双光子吸收存储也属于多层记录存储,存储形式多样,本文以光致色变光存储为例进行讨论。海量存储的另一个研究方向是近场光存储,该技术与传统光存储显著的区别在于:用纳米尺寸的光学探针距记录介质纳米距离实现纳米尺寸光点的记录,从而实现超高密度光存储。文章最后对超高密度光存储发展及应用趋势进行了阐述。

三维光数据存储技术

不断提高存储介质的存储容量和存储密度是信息科学的研究热点之一,在三维空间中进行数据存储将大幅度提高存储密度和存储容量,是实现超高密度光存储的有效方法。介绍了双光子吸收光存储、光谱烧孔光存储、激光全息存储和透明介质的飞秒脉冲体存储等三维光存储的进展、数据存储的原理以及各种存储方法有待解决的问题。

Sc_x:Fe_y:Cu_z:LN晶体的生长及非挥发性全息存储的研究

本文首次采用Czochralski法生长优质的Scx:Fey:Cuz:LN(x=0,1%,2%,3%,3.5%,y=0.1%,z=0.06%)晶体。测试了晶体抗光致散射能力,以二波耦合光路测试晶体的衍射效率、写入时间和擦除时间,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明:Sc(2mol%):Fe:Cu:LN和Sc(3mol%):Fe:Cu:LN晶体抗光致散射能力比Fe:Cu:LN晶体高两个数量级以上,Scx:Fey:Cuz:LN晶体的写入速度、光折变灵敏度和动态范围等全息存储性能优于Fe:LN晶体。首次采用氪离子激光(482.0nm,蓝光)作开关光,氦氖激光(632.8nm,红光)做记录光,以Sc:Fe:Cu:LN晶体作为双光子全息存储记录介质,实现了双光子全息存储固定(非挥发性全息存储)。

多维度信息记录与再现技术的进展

随着信息技术的高速发展和大数据时代的到来,有效存储和管理海量数据的要求对数据存储技术提出了严峻挑战。光存储技术在能耗、容量、成本、寿命、安全等方面的优势,使其正逐渐成为未来数据存储的主流技术。本文围绕光存储技术的维度展开论述,纵向介绍了几种常用的光存储技术。目前以光盘为代表的二维面存储技术,存储容量已接近其理论存储极限(23.5 GB/disc);以双光子吸收技术、全息存储技术为代表的三维体存储技术,其存储容量相较二维存储技术提升了2~4个数量级;五维存储技术进一步扩展了数据存储的维度。可以预见,未来光存储技术会在大存储容量、超高存取速度、高性能存储材料、多维度存储技术等方面取得突破和进展。