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适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究
被引量:
5
1
作者
王书凯
程东方
+1 位作者
徐志平
沈文星
《微计算机信息》
北大核心
2007年第23期270-271,283,共3页
本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Med...
本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。
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关键词
双减少表面场
横向
双
扩散MOS晶体管
计算机辅助设计技术
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职称材料
题名
适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究
被引量:
5
1
作者
王书凯
程东方
徐志平
沈文星
机构
上海大学微电子中心
出处
《微计算机信息》
北大核心
2007年第23期270-271,283,共3页
基金
上海科委国际合作基金资助(055207041)
文摘
本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。
关键词
双减少表面场
横向
双
扩散MOS晶体管
计算机辅助设计技术
Keywords
Double- Resurf, Ldmos, TCAD
分类号
TP211+.51 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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作者
出处
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被引量
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1
适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究
王书凯
程东方
徐志平
沈文星
《微计算机信息》
北大核心
2007
5
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职称材料
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