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适用于智能功率IC的700v Double-Resurf Ldmos研究 被引量:5
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作者 王书凯 程东方 +1 位作者 徐志平 沈文星 《微计算机信息》 北大核心 2007年第23期270-271,283,共3页
本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Med... 本文用Synopsys公司的TCAD工具-TWB(TAURUS WORK-BENCH)虚拟FAB进行研究设计了适用于智能功率集成电路的700v单晶扩散型Double-Resurf Ldmos。该高压管的生产工艺和标准的CMOS工艺完全兼容,只需要增加3张掩模板。通过优化工艺参数,用Medici仿真的最高耐压可以达到800v,导通电阻为16Ω,可以广泛应用于各种功率控制电路。 展开更多
关键词 双减少表面场 横向扩散MOS晶体管 计算机辅助设计技术
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