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f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管 被引量：1
1
作者 邹德恕 陈建新 +5 位作者 高国 沈光地 杜金玉 王东凤 张时明 袁颍 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1996年第4期55-59,共5页
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词 硅锗合金 异质结构 双台面结构 双极晶体管 硅
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